[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201280036061.2 | 申请日： | 2012-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN103703565A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 川上刚史;中木义幸;藤井善夫;渡边宽;中田修平;海老原洪平;古川彰彦 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/12;H01L29/47;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 于丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
第2导电类型的活性区域（2），形成于第1导电类型的半导体层表层，构成半导体元件；
第2导电类型的多个第1杂质区域（11～16），在所述半导体层表层，以俯视时分别包围所述活性区域（2）的方式，相互离开地形成；以及
第2导电类型的第2杂质区域（18），被埋入到所述半导体层表层，连接多个所述第1杂质区域（11～16）的底部中的至少两个。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第2杂质区域（81）与所述活性区域（2）连接。
3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，
所述第2杂质区域（18）与所述活性区域（2）的底部连接。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第2杂质区域（30）未与所述活性区域（2）连接。
5.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，
所述第2杂质区域（18）与多个所述第1杂质区域（11～16）的底部的全部连接。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
所述第2杂质区域（18）被形成至俯视时从最外侧包围所述活性区域（2）的所述第1杂质区域（16）的俯视时的更外侧。
7.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，
所述第2杂质区域（18）的杂质浓度低于所述第1杂质区域（11～16）。
8.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，
还具备第2导电类型的多个第3杂质区域（25～27），该多个第3杂质区域（25～27）相互离开地埋入到所述半导体层表层，俯视时分别包围所述第1杂质区域（11～16）。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，
所述第3杂质区域（25～27）被埋入到与所述第2杂质区域（18）相同的深度。
10.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1杂质区域（11～16）形成于所述半导体层表面。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，
在最内侧的所述第1杂质区域（11）上，隔着绝缘膜（32），具备与所述活性区域（2）连接的布线层（33）。
12.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1杂质区域（40～46）被埋入到所述半导体层表层而被形成。
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1杂质区域（40～46）被埋入到与所述第2杂质区域（51）相同的深度而被形成。
14.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体元件是肖特基势垒二极管，所述活性区域的端部是配置于肖特基电极的端部的第2导电类型的注入层（60）。
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