[发明专利]增材构造无效
| 申请号: | 201280035939.0 | 申请日: | 2012-05-31 |
| 公开(公告)号: | CN103858060A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
| 发明(设计)人: | 詹森·布莱尔·琼斯;格雷戈里·约翰·吉本斯 | 申请(专利权)人: | 华威大学 |
| 主分类号: | G03G15/16 | 分类号: | G03G15/16;G03G15/22;B41J3/407;B29C67/00 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;张英 |
| 地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 构造 | ||
1.一种用于构造多个层以形成构造叠层体的增材构造方法,包括:
向转印介质提供带电颗粒以沉积在连续的覆盖层中,从而提供所述构造叠层体,
将所述连续的覆盖层的一层带电颗粒沉积在衬底上,以提供第一层,
减小所述第一层的残余电荷对于后续沉积在所述第一层上的第二层的排斥效果,并且
将所述第二层的带电颗粒从所述转印介质沉积到所述第一层上,
执行排斥效果的减小,以防止由连续沉积的层产生残余电荷的累积,并提供这些层的均匀沉积。
2.根据权利要求1所述的方法,包括施加电场以减小所述沉积的层上的残余电荷的排斥效果。
3.根据权利要求2所述的方法,包括调节所述电场的布置以对所述连续沉积的层保持排斥效果的减小。
4.根据权利要求3所述的方法,包括通过施加电位差以产生所述电场,并根据沉积的层的数量和/或厚度增加所述电位差,来调节所述电场的布置。
5.根据权利要求3或4所述的方法,包括通过在所述第一层和所述第二层之间引入导电层,来调节所述电场的布置。
6.根据前述任一项权利要求所述的方法,其中,通过在沉积所述第二层之前使所述第一层放电,来克服所述排斥效果。
7.根据权利要求6所述的方法,包括通过施加导电涂层使所述第一层放电。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述导电涂层执行层固定步骤。
9.根据权利要求6所述的方法,包括通过施加与所述残余电荷的极性相反的带电颗粒的另一层,使所述第一层放电。
10.根据前述任一项权利要求所述的方法,包括,将离子从离子源引导至所述第一层上,所述离子的极性与所述残余电荷的极性相反,以减小所述排斥效果。
11.一种用于构造多个层以形成构造叠层体的增材构造方法,所述方法包括:
在第一电位的导电元件和第二电位的离子源之间产生可变的电位差;
在所述导电元件和所述离子源之间产生电场,其中,使所述电场通过所述构造叠层体,到达所述构造叠层体的最靠近转印介质的最近表面;
使电荷(Q)从所述离子源累积在所述构造叠层体的所述最近表面上;并且
将沉积材料从所述转印介质转印至所述最近表面上,其中,所述构造叠层体的所述最近表面处的电场的强度是可控的,以在所述最近表面上实现所述沉积材料的均匀转印。
12.根据权利要求11所述的方法,进一步包括,改变所述导电元件和所述离子源之间的电位差电压,以当层的数量增加时,增加所述最近表面处的电场的强度。
13.根据权利要求12所述的方法,进一步包括:
将所述导电元件保持在所述第一电位;并且
改变所述离子源的所述第二电位,以改变所述电位差。
14.根据权利要求11至13中任一项所述的方法,进一步包括在转印步骤之前,使所述导电元件与所述第一电位分离。
15.根据权利要求11至14中任一项所述的方法,进一步包括使转印至自由表面的所述沉积材料熔化。
16.根据权利要求11至15中任一项所述的方法,进一步包括:
引入中间导电平面作为所述构造叠层体中的一层;
使所述中间导电平面与导电板耦接,以增加所述电场穿透所述构造叠层体的深度。
17.根据权利要求11至16中任一项所述的方法,进一步包括:
引入中间导电平面作为所述构造叠层体中的一层;
对所述中间导电平面电容充电,以增加所述电场穿透所述构造叠层体的深度。
18.根据权利要求16或17所述的方法,进一步包括使所述中间导电平面绝缘。
19.根据权利要求16或17所述的方法,进一步包括在所述构造叠层体中沉积多个中间导电平面;
对所述多个中间导电平面中的至少一个进行电容充电;并且
使所述多个中间导电平面中的至少一个与导电元件耦接,以增加所述电场的穿透深度。
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