[发明专利]绝缘膜被覆金属箔有效
| 申请号: | 201280035920.6 | 申请日: | 2012-07-19 |
| 公开(公告)号: | CN103687676A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
| 发明(设计)人: | 小仓丰史;山田纪子;久保祐治;伊藤左和子 | 申请(专利权)人: | 新日铁住金高新材料株式会社 |
| 主分类号: | B05D7/24 | 分类号: | B05D7/24;B32B9/00;B32B15/08;B32B27/00;C09D5/25;C09D7/12;C09D183/04;C23C26/00 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 段承恩;田欣 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 绝缘 被覆 金属 | ||
1.一种绝缘膜被覆金属箔的制造方法,其是具有有机-无机杂化材料层的绝缘膜被覆金属箔的制造方法,其特征在于,
将配合有聚二甲基硅氧烷和金属醇盐的液体进行涂布,所述金属醇盐具有选自Mg、Ca、Y、Al、Sn、Ti、Zr、Nb、Ta、W中的1种以上的金属,
在70℃以上且210℃以下进行干燥,
以30~80℃/min的升温速度升温,在250~600℃保持30~240分钟,
由此沿上述有机-无机杂化材料层的厚度方向、从该层的表面算起的1/4t深度处的Si的浓度[Si]1/4t,相对于沿上述有机-无机杂化材料层的厚度方向、从该层的表面算起的3/4t深度处的Si的浓度[Si]3/4t具有以下的关系,
[Si]1/4t<[Si]3/4t
且上述Si浓度的相对比、RSi=[Si]3/4t-[Si]1/4t/[Si]3/4t的值为0.02以上且0.23以下。
2.根据权利要求1所述的绝缘膜被覆金属箔的制造方法,其特征在于,A1/2t与A1/10t具有以下的关系,
1.0×A1/2t<A1/10t<2.0×A1/2t
其中,所述A1/2t是沿上述有机-无机杂化材料层的厚度方向、从该层的表面算起的1/2t深度处的Si的浓度[Si]1/2t与包含Si以外的金属元素的金属氧烷的金属元素M的浓度[M]1/2t之比,即,A1/2t=[M]1/2t/[Si]1/2t,
所述A1/10t是沿上述有机-无机杂化材料层的厚度方向、从该层的表面算起的1/10t深度处的Si的浓度[Si]1/10t与金属氧烷的M元素的浓度[M]1/10t之比,即,A1/10t=[M]1/10t/[Si]1/10t。
3.一种绝缘膜被覆金属箔,其是至少含有金属箔、和在该金属箔的一面或两面上配置的有机-无机杂化材料层的绝缘膜被覆金属箔,其特征在于,
该有机-无机杂化材料层是配合了聚二甲基硅氧烷和金属醇盐而成的层,所述金属醇盐是具有选自Mg、Ca、Y、Al、Sn、Ti、Zr、Nb、Ta、W中的1种以上而成的金属醇盐,
沿上述有机-无机杂化材料层的厚度方向、从该层的表面算起的1/4t深度处的Si的浓度[Si]1/4t,相对于沿上述有机-无机杂化材料层的厚度方向、从该层的表面算起的3/4t深度处的Si的浓度[Si]3/4t具有以下的关系,
[Si]1/4t<[Si]3/4t
且上述Si浓度的相对比、RSi=[Si]3/4t-[Si]1/4t/[Si]3/4t的值为0.02以上且0.23以下。
4.根据权利要求3所述的绝缘膜被覆金属箔,其特征在于,A1/2t与A1/10t具有以下的关系,
1.0×A1/2t<A1/10t<2.0×A1/2t
其中,所述A1/2t是沿上述有机-无机杂化材料层的厚度方向、从该层的表面算起的1/2t深度处的Si的浓度[Si]1/2t、与包含Si以外的金属元素的金属氧烷的金属元素M的浓度[M]1/2t之比,即,A1/2t=[M]1/2t/[Si]1/2t,
所述A1/10t是沿上述有机-无机杂化材料层的厚度方向、从该层的表面算起的1/10t深度处的Si的浓度[Si]1/10t与金属氧烷的M元素的浓度[M]1/10t之比,即,A1/10t=[M]1/10t/[Si]1/10t。
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