[发明专利]由含有聚醚和含硅填料的有机硅组合物制得的膜无效
| 申请号: | 201280035848.7 | 申请日: | 2012-06-06 |
| 公开(公告)号: | CN103747855A | 公开(公告)日: | 2014-04-23 |
| 发明(设计)人: | D·安;詹姆斯·S·赫拉巴尔;亚伦·J·格雷纳;克里斯托弗·黄 | 申请(专利权)人: | 道康宁公司 |
| 主分类号: | B01D69/14 | 分类号: | B01D69/14;B01D71/38;B01D71/52;B01D71/70 |
| 代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 高瑜;郑霞 |
| 地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 含有 填料 有机硅 组合 | ||
1.一种无支撑膜,其包含:
有机硅组合物的反应产物,所述有机硅组合物包含
(A)每分子具有平均至少两个硅键合的含不饱和脂族碳-碳键的基团的有机聚硅氧烷;
(B)每分子具有平均至少两个硅键合的氢原子的有机硅化合物;
(C)每分子具有至少一个含不饱和脂族碳-碳键的基团的聚醚;
(D)含硅填料;以及
(E)硅氢加成催化剂;
其中,所述膜是无支撑的。
2.根据权利要求1所述的无支撑膜,其中所述每分子具有平均至少两个硅键合的含不饱和脂族碳-碳键的基团的有机聚硅氧烷包括有机硅树脂。
3.根据权利要求1-2中任一项所述的无支撑膜,其中所述有机硅树脂包含R12R2SiO1/2硅氧烷单元和SiO4/2硅氧烷单元,其中每个R1独立地选自单价烃基和单价卤代烃基,两者均不含脂肪族不饱和基团,R2为R1或烯基,R12R2SiO1/2单元与SiO4/2单元的质量比为从约4:1至约2.3:1,并且所述树脂包含平均从约0.33至约0.45质量百分比的烯基。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的无支撑膜,其中所述含硅填料选自云母、晶状石英、石英粉、硅藻土、热解法二氧化硅、熔融石英、硅胶和沉淀二氧化硅。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的无支撑膜,其中所述含硅填料为石英粉。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的无支撑膜,其中所述膜具有0.1至200μm的厚度。
7.一种受支撑膜,其包含:
基材,其包括多孔基材或高渗透性无孔基材;和膜,其包含位于所述多孔基材上的所述有机硅组合物的反应产物;
所述有机硅组合物包含
(A)每分子具有平均至少两个硅键合的含不饱和脂族碳-碳键的基团的有机聚硅氧烷;
(B)每分子具有平均至少两个硅键合的氢原子的有机硅化合物;
(C)每分子具有至少一个含不饱和脂族碳-碳键的基团的聚醚;
(D)含硅填料;以及
(E)硅氢加成催化剂;
其中,所述膜为受支撑膜。
8.根据权利要求7所述的受支撑膜,其中所述基材为包含选自玻璃、陶瓷、氧化铝和多孔聚合物的材料的熔块。
9.一种分离原料气混合物中的气体组分的方法,所述方法包括:
使包含有机硅组合物的反应产物的膜的第一侧与包含至少第一气体组分和第二气体组分的原料气混合物接触以在所述膜的第二侧上产生渗透物气体混合物而在所述膜的所述第一侧上产生渗余物气体混合物,
其中,所述渗透物气体混合物富含所述第一气体组分,而所述渗余物气体混合物贫乏所述第一气体组分,并且所述有机硅组合物包含
(A)每分子具有平均至少两个硅键合的含不饱和脂族碳-碳键的基团的有机聚硅氧烷;
(B)每分子具有平均至少两个硅键合的氢原子的有机硅化合物;
(C)每分子具有至少一个含不饱和脂族碳-碳键的基团的聚醚;
(D)含硅填料;以及
(E)硅氢加成催化剂。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的膜,其中所述膜具有至少约10的CO2/N2选择性。
11.根据权利要求1-10中任一项所述的膜,其中所述膜具有至少约300巴勒的CO2渗透系数。
12.根据权利要求1-11中任一项所述的膜,其中所述膜具有至少约3的CO2/CH4选择性。
13.根据权利要求1-12中任一项所述的膜,其中所述膜选自平板式膜、螺旋膜、管式膜和中空纤维膜。
14.根据权利要求9-13中任一项所述的方法,其中所述原料气混合物包含二氧化碳和氮气。
15.根据权利要求9-14中任一项所述的方法,其中所述原料气混合物包含
水蒸汽或
二氧化碳和甲烷。
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