[发明专利]有机发光元件、光源装置及有机发光元件的制造方法

权利要求书

1.有机发光元件，其具有下部电极和上部电极，一个为反射电极，另一个为透明电极，

具有于所述下部电极和所述上部电极之间配置的、含有主体及第一掺杂剂的发光层，

所述第一掺杂剂中含有第一功能性基团，

关于所述第一掺杂剂，相对于过渡偶极子力矩的平均值的基板面的垂直方向成分和水平方向成分中的一个比另一个大，

关于所述第一掺杂剂的浓度，所述发光层中所述上部电极存在的一侧的区域和所述下部电极存在的一侧的区域中的任一个比另一个区域高。

2.如权利要求1所述的有机发光元件，其中，

所述发光层中含有的掺杂剂为平面状分子，

相对于所述平面状分子的平均值的基板面的垂直方向成分、水平方向成分的一个比另一个大。

3.如权利要求1所述的有机发光元件，其中，

所述发光层中含有的掺杂剂为棒状分子，

相对于所述棒状分子的长轴的平均值的基板面的垂直方向成分、水平方向成分的一个比另一个大。

4.如权利要求1所述的有机发光元件，其中，

关于所述第一掺杂剂，相对于过渡偶极子力矩的平均值的基板面的垂直方向成分、水平方向成分的一个为60%以上。

5.有机发光元件，其具有：

反射电极、

透明电极、以及

于所述反射电极和所述透明电极之间配置的发光层；

所述发光层中含有主体、第一掺杂剂，

关于所述第一掺杂剂，相对于过渡偶极子力矩的平均值的基板面的垂直方向成分比水平方向成分大，

在所述反射电极的所述发光层侧具有凹凸构造。

6.如权利要求5所述的有机发光元件，其中，

所述第一掺杂剂中含有第一功能性基团，

关于所述第一掺杂剂的浓度，所述发光层中所述上部电极存在的一侧的区域和所述下部电极存在的一侧的区域中的任一个比另一个区域高。

7.如权利要求5所述的有机发光元件，其中，

所述发光层中含有第二掺杂剂，

所述第二掺杂剂的发光色与所述第一掺杂剂不同，

关于所述第二掺杂剂，相对于过渡偶极子力矩的平均值的基板面的垂直方向成分比水平方向成分大。

8.如权利要求7所述的有机发光元件，其中，

所述发光层中含有第三掺杂剂，

所述第三掺杂剂发光色与所述第一掺杂剂及第二掺杂剂不同，

关于所述第三掺杂剂，相对于过渡偶极子力矩的平均值的基板面的垂直方向成分比水平方向成分大。

9.如权利要求5所述的有机发光元件，其中，

关于所述第一掺杂剂，相对于过渡偶极子力矩的平均值的基板面的垂直方向成分为60%以上。

10.如权利要求5所述的有机发光元件，其中，

所述发光层中含有的掺杂剂中任一个为平面状分子，

相对于所述平面状分子的平均值的基板面的垂直方向成分比水平方向成分大。

11.如权利要求5所述的有机发光元件，其中，

所述发光层中含有的掺杂剂中任一个为棒状分子，

相对于所述棒状分子的长轴的平均值的基板面的垂直方向成分比水平方向成分大。

12.如权利要求5所述的有机发光元件，其中，

所述凹凸构造以Ag、Au、Cu或者Al的任一个为主成分。

13.如权利要求5所述的有机发光元件，其中，

所述凹凸构造的凹凸的高度、宽度及间距比发光波长小。

14.如权利要求13所述的有机发光元，其中，

所述凹凸的高度在40～120nm的范围。

15.如权利要求5所述的有机发光元件，其中，

从所述透明电极看，在与所述反射电极存在的位置的相反侧具有光取出层。