[发明专利]将半导体装置结合到支持衬底的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

提供生长在生长衬底上的半导体装置的晶片，每一个半导体装置包括n型区域和p型区域，其中该半导体装置的晶片具有第一表面以及与该第一表面相对的第二表面，其中该第二表面为该生长衬底的表面；

将该第一表面结合到第一晶片，第一晶片包括本体区域；

将该第二表面结合到第二晶片，其中该第一晶片和该第二晶片分别具有与该生长衬底不同的热膨胀系数，并且第二晶片与第一晶片材料相同且厚度相同，或者第二晶片厚于第一晶片并且具有比第一晶片更低的热膨胀系数，或者第二晶片薄于第一晶片并且具有比第一晶片更高的热膨胀系数；以及

在将该第一表面结合到该第一晶片之后，针对每一个半导体装置，蚀刻形成穿过本体区域的整个厚度从而露出电连接到该n型区域的金属的第一通路，以及蚀刻形成穿过本体区域的整个厚度从而露出电连接到该p型区域的金属的第二通路。

2.如权利要求1所述的方法，还包括在该第一通路中布置第一金属层以及在该第二通路中布置第二金属层，其中该第一金属层和第二金属层将该本体区域的第一表面电连接到该本体区域的与该第一表面相对的第二表面。

3.如权利要求1所述的方法，还包括在蚀刻形成该第一通路和第二通路之后，移除该第二晶片。

4.如权利要求3所述的方法，其中：

结合层布置在该第二表面和该第二晶片之间；以及

移除该第二晶片包括：将该结合层加热到该结合层软化的温度，以及滑动或掀动该第二晶片离开该生长衬底。

5.如权利要求3所述的方法，其中移除该第二晶片包括从该生长衬底磨掉该第二晶片。

6.如权利要求3所述的方法，还包括在移除该第二晶片之后，移除该生长衬底。

7.如权利要求3所述的方法，还包括在移除该第二晶片之后，对该半导体装置的晶片划片。

8.如权利要求1所述的方法，其中该生长衬底为蓝宝石，并且该第一晶片和第二晶片为硅。

9.如权利要求1所述的方法，其中该第一晶片和第二晶片厚度基本上相同。

10.如权利要求1所述的方法，其中将该第一表面结合到第一晶片以及将该第二表面结合到第二晶片是在单个结合步骤中进行。

11.如权利要求1所述的方法，其中将该第一表面结合到第一晶片是在将该第二表面结合到第二晶片之前进行。

12.如权利要求1所述的方法，其中将该第一表面结合到第一晶片是在将该第二表面结合到第二晶片之后进行。

13.如权利要求1所述的方法，其中该半导体装置包括夹置在n型区域和p型区域之间的III族氮化物发光层。

14.如权利要求1所述的方法，其中第一结合层布置在该第一表面和该第一晶片之间，并且第二结合层布置在该第二表面和该第二晶片之间。

15.如权利要求14所述的方法，其中该第一结合层在比该第二结合层高的温度结合。

16.如权利要求14所述的方法，其中：

该第一晶片为硅并且第一结合层通过永久结合材料形成；

该第二晶片为硅并且第二结合层通过临时结合材料形成；以及

该第二晶片厚于该第一晶片。