[发明专利]处理器高速缓存与随机访问存储器之间的切换有效

专利信息
申请号: 201280033662.8 申请日: 2012-07-19
公开(公告)号: CN103649911A 公开(公告)日: 2014-03-19
发明(设计)人: P·萨卡达 申请(专利权)人: 马维尔国际贸易有限公司
主分类号: G06F9/44 分类号: G06F9/44
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 酆迅
地址: 巴巴多斯*** 国省代码: 巴巴多斯;BB
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摘要:
搜索关键词: 处理器 高速缓存 随机 访问 存储器 之间 切换
【权利要求书】:

1.一种片上系统(SoC),包括:

可切换存储器,被配置为在处理器高速缓存配置和随机访问存储器(RAM)配置之间进行切换;以及

控制器,被配置为:

响应于掉电事件或上电事件而将所述可切换存储器从所述处理器高速缓存配置动态切换至所述RAM配置;

在所述可切换存储器处于RAM配置的同时将引导代码从非易失性存储器加载到所述可切换存储器中;

在所述可切换存储器处于所述RAM配置时执行来自所述可切换存储器的所述引导代码以有效用于引导所述SoC的操作系统;以及

响应于引导所述SoC的所述操作系统而将所述可切换存储器从所述RAM配置动态切换至所述处理器高速缓存配置。

2.根据权利要求1的片上系统,其中所述非易失性存储器是所述SoC内被配置为存储所述引导代码的引导只读存储器(ROM)。

3.根据权利要求2的片上系统,其中所述SoC并不包括专用于执行所述引导代码的随机访问存储器。

4.根据权利要求1的片上系统,其中所述控制器进一步被配置为响应于所述掉电事件并且在所述上电事件之前将所述可切换存储器从所述处理器高速缓存配置动态切换至所述RAM配置,所述掉电事件是休眠或待机模式,所述上电事件是重启或冷机引导。

5.根据权利要求1的片上系统,其中所述控制器进一步被配置为响应于所述上电事件而将所述可切换存储器从所述处理器高速缓存配置动态切换至所述RAM配置,所述上电事件是从休眠模式或待机模式重启。

6.根据权利要求1的片上系统,其中执行所述引导代码有效用于从引导设备引导所述SoC的所述操作系统,所述引导设备被配置为存储所述操作系统的操作系统镜像。

7.根据权利要求6的片上系统,其中所述SoC进一步包括快闪控制器,所述引导设备包括闪存,并且其中引导所述SoC的所述操作系统包括使用所述快闪控制器访问来自所述闪存的所述操作系统镜像。

8.根据权利要求1的片上系统,其中所述控制器进一步被配置为在将所述可切换存储器从所述RAM配置动态切换至所述处理器高速缓存配置之后,在所述可切换存储器处于所述处理器高速缓存配置中的同时使用或启用所述可切换存储器。

9.根据权利要求1的片上系统,其中所述处理器高速缓存配置是二级(L2)配置并且所述RAM配置是静态RAM(SRAM)配置,并且所述控制器进一步被配置为通过以下操作而将所述存储器从所述L2高速缓存配置动态切换至所述SRAM配置:

通过对控制寄存器中的使能位进行写入而禁用作为L2高速缓存的所述可切换存储器;

清除所述可切换存储器;

清除配置寄存器中的只读存储器(ROM)选择位;

使得作为L2高速缓存的所述可切换存储器无效;

等待所述可切换存储器变为空闲;

设置所述配置寄存器中的所述RAM选择位;以及

针对SRAM对所述可切换存储器的库进行配置。

10.根据权利要求1的片上系统,其中所述处理器高速缓存配置是二级(L2)配置并且所述RAM配置是静态RAM(SRAM)配置,并且所述控制器进一步被配置为通过以下操作而将所述存储器从所述SRAM配置动态切换至所述L2高速缓存配置:

将数据从所述可切换存储器的库复制到第二存储器;

禁用所述可切换存储器的所述库;

清除L2选择位;

清除控制寄存器中的所述L2高速缓存使能位;以及

使得所述可切换存储器无效。

11.根据权利要求10的片上系统,其中所述第二存储器是所述SoC外部的动态RAM(DRAM)或闪存。

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