[发明专利]用于偏置功率放大器的装置和方法

权利要求书

1.一种功率放大器系统，包括：

功率放大器，配置为放大射频（RF）信号；以及

用于偏置所述功率放大器的偏置块，所述偏置块包含：时间依赖信号发生器，配置为对所述功率放大器的使能信号整形以生成控制电流；电流放大器，配置为放大所述控制电流以生成校正电流；以及主偏置电路，配置为至少部分基于所述校正电流生成用于所述功率放大器的偏置电流，所述偏置电流被配置为校正当使能所述功率放大器时所述功率放大器的增益的变化。

2.根据权利要求1所述的功率放大器系统，其中所述时间依赖信号发生器包含电阻器-电容器（RC）网络。

3.根据权利要求2所述的功率放大器系统，其中所述RC网络包含在所述电流放大器和被配置为接收所述使能信号的偏置电路的输入之间串联电连接的第一电阻器和第一电容器。

4.根据权利要求3所述的功率放大器系统，其中所述RC网络还包含第二电阻器，所述第二电阻器具有电连接到电流镜的输入的第一端，以及电连接到被配置为接收所述使能信号的所述偏置电路的输入的第二端。

5.根据权利要求4所述的功率放大器系统，其中所述第二电阻器具有在大约10kΩ和大约100kΩ之间的范围内的电阻。

6.根据权利要求3所述的功率放大器系统，其中所述第一电容器具有在大约10pF和大约100pF之间的范围内的电容。

7.根据权利要求6所述的功率放大器系统，其中所述第一电阻器具有在大约10kΩ和大约100kΩ之间的范围内的电阻。

8.根据权利要求1所述的功率放大器系统，其中所述电流放大器包含电流镜。

9.根据权利要求8所述的功率放大器系统，其中所述电流镜包含第一双极晶体管和第二双极晶体管，所述第一双极晶体管包含电连接到所述第二双极晶体管的发射极和电力低电压的发射极、以及电连接到所述第一双极晶体管的基极和所述第二双极晶体管的基极的集电极，所述第一双极晶体管的集电极被配置为接收至少部分所述控制电流。

10.根据权利要求9所述的功率放大器系统，其中所述电流镜还包含电阻器、第三双极晶体管和第四双极晶体管，所述第三双极晶体管包含电连接到所述第四双极晶体管的发射极和所述电力低电压的发射极，以及电连接到所述电阻器的第一端、所述第二双极晶体管的集电极、所述第三双极晶体管的基极和所述第四双极晶体管的基极的集电极，所述第四双极晶体管的集电极被配置为生成补偿电流。

11.根据权利要求10所述的功率放大器系统，其中所述电阻器还包含被配置为接收所述使能信号的第二端。

12.根据权利要求1所述的功率放大器系统，还包含用于向所述功率放大器提供RF信号的收发器。

13.根据权利要求1所述的功率放大器系统，其中所述功率放大器包含具有发射极、基极和集电极的双极晶体管，所述基极被配置为接收所述RF信号和所述偏置电流。

14.根据权利要求13所述的功率放大器系统，其中所述发射极电连接到电力低电压，并且所述集电极被配置为生成所述RF信号的放大后的版本。

15.根据权利要求1所述的功率放大器系统，其中所述主偏置电路包含第一电阻器、第二电阻器、第一双极晶体管和第二双极晶体管，所述第一电阻器包含在被配置为接收所述校正电流的节点电连接到所述第一双极晶体管的发射极的第一端，以及在被配置为接收所述使能信号的偏置电路的节点电连接到所述第二电阻器的第一端的第二端，所述第二电阻器包含电连接到所述第一双极晶体管的集电极、所述第一双极晶体管的基极以及所述第二双极晶体管的基极的第二端。

16.根据权利要求15所述的功率放大器系统，其中所述第二双极晶体管包含电连接到电池电压的集电极和被配置为生成所述偏置电流的发射极。

17.根据权利要求16所述的功率放大器系统，其中所述主偏置电路还包含第三双极晶体管，所述第三双极晶体管具有电连接到电力低电压的发射极以及电连接到所述第一双极晶体管的发射极的基极和集电极。