[发明专利]包含含有脂环式骨架的咔唑树脂的形成抗蚀剂下层膜的组合物

权利要求书

1.一种形成抗蚀剂下层膜的组合物，其包含聚合物，所述聚合物包含下述单元结构，所述单元结构包含稠杂环化合物与二环化合物的反应物。

2.根据权利要求1所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，所述稠杂环化合物为咔唑化合物或取代咔唑化合物。

3.根据权利要求1或2所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，所述二环化合物为二聚环戊二烯、取代二聚环戊二烯、四环［4.4.0.1^2,5.1^7,10］十二碳－3,8－二烯或取代四环［4.4.0.1^2,5.1^7,10］十二碳－3,8－二烯。

4.根据权利要求1所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，所述聚合物为包含下述式(1)所示的单元结构、式(2)所示的单元结构、式(3)所示的单元结构或它们的组合的聚合物。

式中，R¹～R¹⁴为氢原子的取代基，各自独立地为卤基、硝基、氨基或羟基、或者可以被这些基团取代的碳原子数1～10的烷基或碳原子数6～40的芳基，Ar为碳原子数6～40的芳香环基，n₁、n₂、n₅、n₆、n₉、n₁₀、n₁₃、n₁₄和n₁₅各自为0～3的整数，n₃、n₄、n₇、n₈、n₁₁和n₁₂各自为0～4的整数。

5.根据权利要求4所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，所述式(3)中，Ar为苯基或萘基。

6.根据权利要求1～5的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，其还包含交联剂。

7.根据权利要求1～6的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，其还包含酸和/或产酸剂。

8.一种抗蚀剂下层膜，其是通过将权利要求1～7的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物涂布在半导体基板上并进行烘烤而获得的。

9.一种在半导体的制造中使用的抗蚀剂图案的形成方法，其包括下述工序：将权利要求1～7的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物涂布在半导体基板上并进行烘烤，从而形成下层膜。

10.一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：在半导体基板上通过权利要求1～7的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物来形成下层膜的工序；在该下层膜上形成抗蚀剂膜的工序；通过光或电子束的照射与显影而在该抗蚀剂膜上形成抗蚀剂图案的工序；通过该抗蚀剂图案对该下层膜进行蚀刻的工序；以及通过该被图案化了的下层膜对该半导体基板进行加工的工序。

11.一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：在半导体基板上通过权利要求1～7的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物来形成下层膜的工序；在该下层膜上形成硬掩模的工序；进而在该硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序；通过光或电子束的照射与显影而在该抗蚀剂膜上形成抗蚀剂图案的工序；通过该抗蚀剂图案对该硬掩模进行蚀刻的工序；通过该被图案化了的硬掩模对该下层膜进行蚀刻的工序；以及通过该被图案化了的下层膜对半导体基板进行加工的工序。

12.根据权利要求11所述的制造方法，通过无机物溶液的涂布或无机物的蒸镀形成所述硬掩模。