[发明专利]磁力学传感器元件及其在电子物品监视和检测系统中的应用无效

专利信息
申请号: 201280032615.1 申请日: 2012-06-27
公开(公告)号: CN103797496A 公开(公告)日: 2014-05-14
发明(设计)人: 留苏克·哈塞戛瓦;罗纳德·约瑟夫·马尔蒂斯 申请(专利权)人: 梅特格拉斯公司
主分类号: G06K19/06 分类号: G06K19/06
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 曹正建;陈桂香
地址: 美国南卡*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 磁力 传感器 元件 及其 电子 物品 监视 检测 系统 中的 应用
【权利要求书】:

1.一种磁力学共振电子物品监视系统的传感器元件,所述传感器元件包括:

从非晶铁磁合金条带切割成的至少一个易延展的磁致伸缩标识器带材,

其中,所述条带具有条带长度方向、条带平面和类线形表面图案,所述表面图案具有表面线方向,

所述至少一个标识器带材的磁各向异性方向以80度和90度之间的角度偏离所述条带长度方向且位于所述条带平面中,

所述表面线方向与所述磁各向异性方向一致,

所述磁各向异性方向是通过调整铸造条件在条带铸造期间引入的,并且

所述至少一个标识器带材在具有静态偏置场的交变磁场激励下表现出磁力学共振。

2.如权利要求1所述的传感器元件,其中,所述非晶铁磁合金条带具有处于0.8特斯拉到1.0特斯拉的范围内的饱和磁感应强度。

3.如权利要求2所述的传感器元件,其中,所述非晶铁磁合金条带具有处于9ppm到14ppm的范围内的饱和磁致伸缩。

4.如权利要求2所述的传感器元件,其中,所述非晶铁磁合金条带具有基于Fea-Nib-Moc-Bd的成分,其中,35≤a≤42、38≤b≤45、0≤c≤5、11≤d≤17且a+b+c+d=100,多达3原子%的Mo可选地由Co、Cr、Mn和/或Nb代替,且多达1.5原子%的B可选地由Si和/或C代替。

5.如权利要求4所述的传感器元件,其中,所述非晶铁磁合金条带是具有下述成分之一的合金:Fe41.3Ni38.2Mo3.6B16.3Si0.6、Fe37.6Ni44.9Mo4.4B11.5Si1.35Co0.1Cr0.15、Fe37.2Ni41.2Mo3.6B16.1Si0.9C0.6Co0.1Cr0.3、Fe37.1Ni42.2Mo3.7B16.3Si0.7、Fe36.9Ni42.0Mo3.9B16.2Si0.7Co0.1Cr0.2、Fe36.4Ni42.6Mo3.9B15.9Si0.9Cr0.3、Fe36.0Ni42.3Mo3.9B16.6Si0.8Co0.1Cr0.3和Fe35.8Ni43.5Mo3.5B16.4Si0.6Co0.1Cr0.1

6.如权利要求1所述的传感器元件,其中,所述至少一个标识器带材具有离散的长度且在与长度有关的频率处表现出磁力学共振。

7.如权利要求6所述的传感器元件,其中,所述至少一个标识器带材具有从大约35mm到大约40mm范围的长度。

8.如权利要求7所述的传感器元件,其中,所述至少一个标识器带材具有处于大约5mm到大约8mm的范围内的标识器带材宽度。

9.如权利要求8所述的传感器元件,其中,所述至少一个标识器带材的磁力学共振信号衰减的特征时间常数处于大约1msec到大约2msec的范围内。

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