[发明专利]多层陶瓷基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及多层陶瓷基板及其制造方法，尤其涉及内置有电阻膜的多层陶瓷基板及其制造方法。

背景技术

例如在电池余量检测电路的电池余量测定中，需要100ｍΩ以下的超低电阻的电流检测用电阻体。此外，要求该电流检测用电阻体具有例如不足100ppm/℃的TCR（电阻温度系数）。

例如在日本专利特开2004-356306号公报（专利文献1）中，公开了使用电阻体糊料来与陶瓷基板同时烧成而形成的带电阻的陶瓷基板。该专利文献1中，使用例如以氧化钌为主成分的糊料来作为电阻体糊料。然而，如果是氧化钌类的电阻体糊料，则存在无法以优异TCR特性来实现100ｍΩ以下的超低电阻。

此外，在如专利文献1所记载的技术那样，将电阻膜内置于基板的情况下，在电阻膜的两端连接引出电极以作为导体膜。然而，在该情况下，若电阻膜与导体膜的连接部的面积较大，则存在连接部上的合金化无法忽视、且对TCR特性产生影响的问题。因此，即使为了在低电阻的同时实现优异的TCR特性而选择包含例如Ni和Cu的材料来作为电阻材料，由于TCR特性会受到电阻膜与导体膜的连接部上的合金化的影响，导致难以获得所期望的特性。

为解决上述问题，考虑利用过孔导体来引出电阻膜。据此，由于过孔导体的截面积与电阻膜的面积相比足够小，因此能使电阻膜与过孔导体的连接部的面积与上述电阻膜与连接部的面积相比进一步地缩小，因而，能降低连接部上的合金化对TCR特性所造成的影响。例如在日本专利特开2009-147157号公报（专利文献2）中，公开了将内置于多层陶瓷基板中的内部布线与过孔导体相连接的结构，此外还公开了利用与内部布线相同的方式来形成电阻。

然而，如上所述，若注重实现优异的TCR特性而采用利用过孔导体来引出电阻膜的结构，则连接部的面积会变小，因此，之后会遇到电阻膜与过孔导体的连接可靠性下降的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2004－356306号公报

专利文献2：日本专利特开2009－147157号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

因此，本发明的目的在于解决上述问题，即，提供一种多层陶瓷基板及其制造方法，能以优异的TCR特性来实现100ｍΩ以下的超低电阻，而且即使采用利用过孔导体来引出电阻膜的结构，也能在电阻膜与过孔导体之间获得优异的连接可靠性。

解决技术问题所采用的技术方案

本发明首先针对多层陶瓷基板。

本发明所涉及的多层陶瓷基板，包括：由被层叠的多个陶瓷层构成的陶瓷素域，包括形成在陶瓷层之间的电阻膜的电阻体，以及形成为在厚度方向上贯穿陶瓷层、且第一端部与电阻膜相连接的引出用过孔导体。并且，为了解决上述技术问题，具有如下特征，电阻膜和引出用过孔导体均至少包含构成合金类电阻材料的第一金属成分和第二金属成分，引出用过孔导体中的第二金属成分的浓度具有在与电阻膜相连接的第一端部中较高、且从该第一端部向着相反的第二端部侧逐渐变低的倾斜结构。

优选为，所述第一金属成分为Cu，所述第二金属成分为Ni。

优选为，所述电阻体包括分别形成在多个陶瓷层之间的多个电阻膜，以及用于对多个电阻膜进行并联连接、且形成为在厚度方向上贯穿导体层并配置在互不相同的位置的多个并联连接用过孔导体。由此，能减小电阻体的电阻值的偏差。就能够进一步地减小电阻值的偏差这一点而言，优选为电阻体包括三个以上的并联连接用过孔导体。

优选为，并联连接用过孔导体由与所述电阻膜相同的材料制成。由此，能使电阻膜与并联连接用能过孔导体之间难以产生各成分的扩散。其结果是，能降低电阻值的偏差，还能获得优异的TCR特性。

优选为陶瓷层以BaO、SiO₂以及Al₂O₃为主要成分。特别是在电阻膜和引出用过孔导体包含Cu的情况下，以BaO、SiO₂以及Al₂O₃为主要成分的陶瓷层适用于在还原气氛中与电阻膜以及过孔导体同时进行烧成的情况。