[发明专利]用于光伏电池的导电衬底有效
| 申请号: | 201280032106.9 | 申请日: | 2012-06-25 |
| 公开(公告)号: | CN103620795A | 公开(公告)日: | 2014-03-05 |
| 发明(设计)人: | F.克拉博;M.于里安;C.莱德尔;G.吕滕贝格;D.迪皮伊 | 申请(专利权)人: | 法国圣戈班玻璃厂 |
| 主分类号: | H01L31/0392 | 分类号: | H01L31/0392;H01L31/0749;H01L31/032 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧永杰;胡莉莉 |
| 地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 电池 导电 衬底 | ||
1.一种用于光伏电池的导电衬底,包括:
-包含碱离子的介电衬底(1);
-在衬底(1)上所形成的电极覆盖层(4),所述电极覆盖层(4)包括基于钼的层,所述导电衬底包括在所述衬底(1)上所形成的并且被插入在所述衬底(1)和所述电极覆盖层(4)之间的多层堆叠(2),其中:
·在所述衬底(1)上所形成的第一不透碱层(2A);
·碱保持层(2B),所述碱保持层(2B)在第一不透碱层(2A)上并且以不同于第一不透碱层(2A)的材料所形成,在碱保持层(2B)和第一不透碱层(2A)的厚度之间的比等于2或更多;
·第二不透碱层(2A’),所述第二不透碱层(2A’)在碱保持层(2B)上并且以不同于碱保持层(2B)的材料所形成。
2.根据权利要求1所述的导电衬底,其中在碱保持层(2B)和第一不透碱层(2A)的厚度之间的比等于3或更多。
3.根据权利要求1或2所述的导电衬底,其中第一不透碱层(2A)具有小于或等于30nm、例如小于或等于20nm、例如小于或等于15nm的厚度。
4.根据前述权利要求中任一项所述的导电衬底,其中碱保持层(2B)具有小于或等于60nm、例如小于或等于40nm、例如小于或等于35nm的厚度。
5.根据前述权利要求中任一项所述的导电衬底,其中在碱保持层(2B)和第二不透碱层(2A’)的厚度之间的比等于2或更多、例如等于3或更多。
6.根据前述权利要求中任一项所述的导电衬底,其中第二不透碱层(2A’)具有小于或等于30nm、例如小于或等于20nm、例如小于或等于15nm的厚度。
7.根据前述权利要求中任一项所述的导电衬底,其中第一不透碱层(2A)和第二不透碱层(2A’)是以相同材料所制成的。
8.根据前述权利要求中任一项所述的导电衬底,其中每个不透碱层(2A,2A’)是基于氮化硅或氮化铝的。
9.根据前述权利要求中任一项所述的导电衬底,其中所述碱保持层(2B)或每个碱保持层(2B)是基于氧化硅或基于氧化锡、例如锡和锌的混合氧化物的。
10.一种半导体器件,其包括根据前述权利要求中任一项所述的导电衬底和光吸收剂层(6),所述光吸收剂层例如基于黄铜矿,其中所述光吸收剂层是在导电衬底上所形成的。
11.一种光伏电池,其包括根据权利要求10所述的半导体器件。
12.一种用于制造导电衬底的方法,其包括在于以下的步骤:
- 在包含碱的介电衬底(1)上形成第一不透碱层(2A);
- 在第一不透碱层(2A)上形成碱保持层(2B),在碱保持层(2B)和第一不透碱层(2A)的厚度之间的比等于2或更多,并且碱保持层(2B)是以不同于第一不透碱层(2A)的材料所实现的;
- 在碱保持层(2B)上并且以不同于碱保持层(2B)的材料形成第二不透碱层(2A’);
- 在第二不透碱层(2B)上形成电极覆盖层(4),所述电极覆盖层(4)包括基于钼的层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





