[发明专利]发光装置

说明书

技术领域

本发明涉及对荧光体层利用了量子点荧光体的发光装置。

背景技术

作为照明用、液晶显示器背光用等的光源(发光装置)，利用高亮度白色LED(LED：Light Emitting Diode)，进行光源的高效率化以及高显色性化的研究。白色LED是组合放射蓝光的半导体发光元件和绿色荧光体、黄色荧光体、红色荧光体等来实现的。荧光体的种类有：无机荧光体、有机荧光体、由半导体构成的量子点荧光体。作为利用了无机荧光体的白色LED的例子有专利文献1。

图9是示出专利文献1所公开的以往的发光装置的剖视图。

如图9示出，对于以往的发光装置，放出紫外线、蓝光或者绿光的半导体发光元件1，被配置在嵌入了电端子2、3的容器8内，进一步，以填埋半导体发光元件1的方式，含有发光物质粒子6(无机的发光物质颜料)的材料5覆盖容器8内。

(现有技术文献)

(专利文献)

专利文献1：日本特表平11-500584号公报

LED光源为小型且省电力，因此，用于显示器件以及照明装置的关键器件，进行高亮度白色LED的高效率化以及高显色性化的研究。对于白色LED，一般组合蓝色LED光源和绿色荧光体以及黄色荧光体，为了实现高效率以及高显色性，需要发光特性以及能量转换效率良好的荧光体。用于白色LED的一般的荧光体为以稀土离子为活化剂的结晶微粒子，许多荧光体在化学上稳定。但是，这样的荧光体的光吸收效率与稀土族的浓度成比例，另一方面，若浓度太高，则因浓度猝灭而产生发光效率的降低，因此，难以实现80％以上的高量子效率。

于是，提出了直接利用带边光吸收以及带边光发光来实现高量子效率的许多半导体荧光微粒子，特别是称为量子点荧光体的直径为数nm至数十nm的微粒子，可以期待成为不包含稀土族的新的荧光体材料。对于量子点荧光体，根据量子尺寸效应，即使同一材料的微粒子，也可通过控制粒径而在可见光线区域中得到所希望的波长带的荧光谱。并且，由于是基于带边的光吸收以及荧光，因此，示出90％左右的高的外部量子效率，据此能够提供具有高效率且高显色性的白色LED。

但是，对于量子点荧光体，粒径小，占有微粒子的表面的原子的比例多，因此，许多量子点荧光体的化学稳定性低，特别是在高温环境下的激励荧光中存在的大问题是，量子点荧光体表面的光氧化反应进展，导致急剧的发光效率的降低。

发明内容

于是，本发明的目的在于提供，能够抑制量子点荧光体的光氧化、能够抑制发光效率的降低的发光装置。

为了解决以往的问题，本发明的实施方案之一涉及的发光装置，其中，具备：半导体发光元件；以及荧光部件，接受所述半导体发光元件的光来发出荧光，所述荧光部件包括第一区域以及不使氧透过的第二区域，所述第一区域包含因粒径而具有不同的激励荧光谱的多个半导体微粒子，所述第一区域的外周面均由所述第二区域覆盖。根据该结构，氧不会到达第一区域内的量子点荧光体，能够抑制量子点荧光体的光氧化反应，抑制发光装置的发光效率的降低。

本发明的实施方案之一涉及的发光装置也可以是，第一区域的热膨胀系数与第二区域的热膨胀系数的差为10％以下。根据该结构，能够抑制起因于第一区域和第二区域的热膨胀系数差的、温度变化时的变形、应力等所引起的裂缝的发生。

本发明的实施方案之一涉及的发光装置也可以是，所述第二区域，被分割为不使氧透过的多个第三区域。根据该结构，例如，在能够将第二区域分割为第二A区域和第二B区域的情况下，首先，在半导体发光元件上形成第二A区域，在其中央部形成第一区域，进一步，在其第一区域上以及其周边形成第二B区域，据此，在第一区域的整个周边，第二A区域与第二B区域直接接触。其结果为，能够容易形成第一区域的外周面由第二区域覆盖的构造。

本发明的实施方案之一涉及的发光装置也可以是，所述第一区域仅由所述半导体微粒子构成。根据该结构，不需要用于第一区域的树脂，能够实现成本降低。

本发明的实施方案之一涉及的发光装置也可以是，所述发光装置还具备安装有所述半导体发光元件的容器，所述第二区域以所述多个第三区域夹着所述第一区域的状态位于所述半导体发光元件的表面。根据该结构，能够阻挡通过容器的氧，提高容器的选择自由度。

本发明的实施方案之一涉及的发光装置也可以是，所述多个第三区域与所述第一区域接触，所述第一区域的外周面均由所述多个第三区域覆盖。根据该结构，制造工时减少，能够实现成本降低。