[发明专利]溅射靶

权利要求书

1.一种溅射靶，其包含烧结体，

所述烧结体包含In、Ga及Mg，

并且包含选自In₂O₃所表示的化合物、In(GaMg)O₄所表示的化合物、Ga₂MgO₄所表示的化合物、及In₂MgO₄所表示的化合物中的1种以上的化合物，

其中，原子比In/(In＋Ga＋Mg)为0.5以上且0.9999以下、并且原子比(Ga＋Mg)/(In＋Ga＋Mg)为0.0001以上且0.5以下。

2.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，所述原子比满足：

In/(In＋Ga＋Mg)大于0.7且0.9999以下、并且

(Ga＋Mg)/(In＋Ga＋Mg)为0.0001以上且小于0.3。

3.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其中，所述烧结体的相对密度为90%以上。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的溅射靶，其中，所述烧结体还包含正4价的金属氧化物M。

5.根据权利要求4所述的溅射靶，其中，所述金属氧化物M为选自SnO₂、TiO₂、SiO₂、ZrO₂、GeO₂、HfO₂及CeO₂中的1种以上的氧化物。

6.根据权利要求5所述的溅射靶，其满足以下的原子比：

[M]/[全金属]＝0.0001～0.20

式中，[M]为烧结体中包含的正4价金属的原子的合计，[全金属]为烧结体中包含的全部金属的原子的合计。

7.一种权利要求1所述的溅射靶的制造方法，其包括如下工序：

将平均粒径为0.1～1.2μm的氧化铟粉末、平均粒径为0.1～1.2μm的氧化镓粉末、和平均粒径为0.1～1.2μm的氧化镁粉末，以原子比In/(In＋Ga＋Mg)为0.5以上且0.9999以下、并且原子比(Ga＋Mg)/(In＋Ga＋Mg)为0.0001以上且0.5以下混合，进行成形，

将所得的成形体以0.1～2℃/分钟的升温速度从800℃升温至烧结温度，在所述烧结温度下保持10～50小时来进行烧结，

其中，所述烧结温度在1200℃～1650℃的范围内。

8.一种氧化物薄膜的制造方法，使用权利要求1～6中任一项所述的溅射靶，并利用溅射法而成膜。

9.根据权利要求8所述的氧化物薄膜的制造方法，其中，在使稀有气体原子中含有选自水分子、氧分子及一氧化二氮分子中的至少1种以上分子的混合气体的气氛下，利用所述溅射法进行成膜。

10.根据权利要求9所述的氧化物薄膜的制造方法，其中，在含有稀有气体、及至少水分子的混合气体的气氛下，利用所述溅射法进行成膜。

11.根据权利要求10所述的氧化物薄膜的制造方法，其中，所述混合气体中的水分子的含有比例以分压比计为0.1%～25%。

12.一种薄膜晶体管，其将利用权利要求8～11中任一项所述的方法而成膜的氧化物薄膜作为沟道层。

13.根据权利要求12所述的薄膜晶体管，其在所述沟道层上具备至少含有SiN_x的保护膜。

14.一种显示装置，其具备权利要求12或13所述的薄膜晶体管。