[发明专利]无线装置及其制造方法无效
申请号: | 201280031121.1 | 申请日: | 2012-10-19 |
公开(公告)号: | CN103650357A | 公开(公告)日: | 2014-03-19 |
发明(设计)人: | 筑泽贵行 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H04B1/40 | 分类号: | H04B1/40;H01L21/56;H01L21/60;H01L21/66;H01L21/822;H01L23/12;H01L27/04;H03F1/30;H03F3/213 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 郑海涛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 无线 装置 及其 制造 方法 | ||
1.无线装置,包括:
组装基板;
倒装片组装在所述组装基板上的高频IC芯片;以及
在所述高频IC芯片和所述组装基板之间填充的底部填充剂,
所述高频IC芯片包括:
构成主电路的元件单元;以及
检测所述高频IC芯片的工艺偏差的工艺偏差检测单元,
所述底部填充剂具有与检测到的所述工艺偏差对应的参数。
2.如权利要求1所述的无线装置,
所述工艺偏差检测单元具有作为所述元件单元的一部分的功能。
3.如权利要求1所述的无线装置,
所述工艺偏差检测单元在所述高频IC芯片中与所述元件单元分离。
4.如权利要求1至3中任意一项所述的无线装置,
所述工艺偏差检测单元使用晶体管构成。
5.如权利要求1至3中任意一项所述的无线装置,
所述工艺偏差检测单元使用环形振荡器构成。
6.如权利要求1所述的无线装置,
所述底部填充剂的参数是作为底部填充剂填充的材料的介电常数。
7.如权利要求1所述的无线装置,
所述底部填充剂的参数是所述高频IC芯片和所述组装基板之间的距离。
8.如权利要求1所述的无线装置,
所述高频IC芯片经由凸点与所述组装基板连接,
所述凸点在所述高频IC芯片中被非对称地配置。
9.如权利要求1所述的无线装置,
所述高频IC芯片与所述组装基板之间的底部填充剂,在倒装片组装了所述高频IC芯片的区域内厚度不同。
10.如权利要求1所述的无线装置,
所述工艺偏差检测单元使用工艺控制监视器数据。
11.如权利要求1所述的无线装置,
所述工艺偏差是在填充所述底部填充剂之前测量出的值。
12.无线装置的制造方法,包括:
制造具有构成主电路的元件单元、和工艺偏差检测单元的高频IC芯片的步骤;
使用所述高频IC芯片的所述工艺偏差检测单元检测工艺偏差的步骤;以及
填充与在所述进行检测的步骤中检测到的数据相应的参数的底部填充剂,在组装基板上组装所述高频IC芯片的步骤。
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