[发明专利]碳化硅半导体器件无效

申请号：	201280030605.4	申请日：	2012-06-12
公开（公告）号：	CN103608914A	公开（公告）日：	2014-02-26
发明（设计）人：	林秀树	申请（专利权）人：	住友电气工业株式会社
主分类号：	H01L21/8234	分类号：	H01L21/8234;H01L21/8232;H01L27/06;H01L27/088;H01L27/095
代理公司：	中原信达知识产权代理有限责任公司 11219	代理人：	李兰;孙志湧
地址：	日本大阪***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	碳化硅半导体器件
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【权利要求书】：

1.一种碳化硅半导体器件，包括：

碳化硅衬底（30），所述碳化硅衬底包括具有第一导电类型的第一层（34）以及设置在所述第一层上并具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二层（35），所述碳化硅衬底具有第一杂质区至第五杂质区（11、12、13、21、22），所述第一杂质区、第二杂质区、第四杂质区和第五杂质区中的每一个都具有所述第一导电类型，并且所述第三杂质区具有所述第二导电类型，所述第一杂质区至第三杂质区中的每一个都贯穿所述第二层并到达所述第一层，所述第三杂质区布置在所述第一杂质区和第二杂质区之间，所述第四杂质区和第五杂质区中的每一个都设置在所述第二层上；

第一至第五电极（S1、Dl、Gl、S2、D2），所述第一电极至第五电极分别设置在所述第一杂质区至第五杂质区上，所述第一电极和第五电极彼此电连接，所述第三电极和第四电极彼此电连接；

栅极绝缘膜（I2），所述栅极绝缘膜覆盖所述第二层上的所述第四杂质区和第五杂质区之间的部分；以及

第六电极（G2），所述第六电极设置在所述栅极绝缘膜上。

2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体器件，其中，所述第一导电类型是n型。

3.根据权利要求1或2所述的碳化硅半导体器件，其中，所述第一电极至第五电极中的每一个都是欧姆电极。

4.根据权利要求1至3中的任何一项所述的碳化硅半导体器件，其中，所述碳化硅衬底包括第三层（33），所述第二层和第三层夹着所述第一层，所述第三层具有所述第二导电类型并与所述第一电极电连接。

5.根据权利要求1至4中的任何一项所述的碳化硅半导体器件，其中，所述第一电极和所述第五电极一体化在所述碳化硅衬底上。

6.根据权利要求1至5中的任何一项所述的碳化硅半导体器件，其中，所述第三电极和所述第四电极一体化在所述碳化硅衬底上。

7.根据权利要求1至6中的任何一项所述的碳化硅半导体器件，进一步包括层间绝缘膜，所述层间绝缘膜设置在所述第二层上并具有第一开口和第二开口，

其中，所述第一电极和第二电极分别在所述第一开口和第二开口内邻接所述碳化硅衬底。

8.根据权利要求7所述的碳化硅半导体器件，其中，所述栅极绝缘膜和所述层间绝缘膜是相同的材料。

9.根据权利要求8所述的碳化硅半导体器件，其中，所述栅极绝缘膜和所述层间绝缘膜具有相同的厚度。