[发明专利]电容传感器图案

权利要求书

1. 一种电容传感器图案，包括：

    第一批多个传感器电极元件，其设置在衬底之上的第一层中； 

    第二批多个传感器电极元件，其设置在所述衬底之上的一附加层中，所述第二批多个传感器电极元件中的至少一个与所述第一批多个传感器电极元件中的至少两个物理地耦合；以及

    第三批多个传感器电极元件，其设置在所述衬底之上的所述附加层中，所述第三批多个传感器电极元件中的至少一个元件欧姆地耦合到所述第一批多个传感器电极元件中的单个元件。

2.如权利要求1所述的电容传感器图案，其中，所述第一批多个传感器电极元件包括发射器电极元件和接收器电极元件。

3.如权利要求2所述的电容传感器图案，其中，所述第一批多个传感器电极元件还包括浮动电极元件，并且其中所述接收器电极元件中的一接收器电极元件大体由一浮动电极元件包围。

4.如权利要求3所述的电容传感器图案，其中，所述浮动电极元件还大体由所述发射器电极元件中的一发射器电极元件包围。

5.如权利要求2所述的电容传感器图案，其中，所述第一批多个传感器电极元件还包括浮动电极元件，并且其中所述接收器电极元件的至少一部分具有比所述浮动电极元件的一部分的宽度更大的宽度。

6.如权利要求2所述的电容传感器图案，其中，所述接收器电极元件的特征具有比所述发射器电极元件的宽度更小的宽度。

7.如权利要求2所述的电容传感器图案，其中，所述第三批多个传感器电极元件中的所述至少一个元件耦合到所述接收器电极元件中的一接收器电极元件。

8. 如权利要求2所述的电容传感器图案，其中，所述第二批多个传感器电极元件中的至少一个传感器电极元件将关联第一电容像素的第一接收器电极元件与关联第二电容像素的第二接收器电极元件欧姆地耦合。

9.如权利要求2所述的电容传感器图案，其中，所述第三批多个传感器电极元件中的所述至少一个元件耦合到所述发射器电极元件中的一发射器电极元件。

10.如权利要求2所述的电容传感器图案，其中，所述第三批多个传感器电极元件中的至少一个元件延伸与所述第一批多个传感器电极元件中的单个传感器电极元件关联的第一电容像素。

11.如权利要求10所述的电容传感器图案，其中，所述第三批多个传感器电极元件中的所述至少一个元件包括将与所述第一电容像素关联的第一接收器电极元件欧姆地延伸至与一相邻第二电容像素关联的一区域中的一欧姆延伸体。

12.一种制造电容传感器图案的方法，所述方法包括：

    在衬底之上的第一层中沉积第一批多个传感器电极元件；以及，

    在单个沉积步骤中在所述衬底之上沉积第二批多个和第三批多个传感器电极元件，所述第二批多个传感器电极元件中的至少一个元件物理地耦合到所述第一批多个传感器电极元件中的至少两个元件，以及所述第三批多个传感器电极元件中的至少一个元件欧姆地耦合到所述第一批多个传感器电极元件中的单个元件。

13.如权利要求12所述的方法，其中，所述沉积第一批多个传感器电极元件包括： 

    沉积发射器电极元件，所述发射器电极元件被配置为传送一发射器信号；以及 

    沉积接收器电极元件，所述接收器电极元件被配置为接收与所述发射器信号对应的一所产生信号。

14.如权利要求12所述的方法，其中，所述沉积第二批多个传感器电极元件包括：

    将与第一电容像素关联的第一接收器电极元件欧姆地耦合到与第二电容像素关联的第二接收器电极元件，其中所述第二电容像素与所述第一电容像素相邻。

15.如权利要求12所述的方法，其中，所述沉积第三批多个传感器电极元件包括：

    将所述第三批多个传感器电极元件中的第一元件欧姆地耦合到所述第一批多个传感器电极元件中的第一元件。

16.如权利要求12所述的方法，其中，所述沉积第三批多个传感器电极元件包括：

    将与第一电容像素关联的一特征的一部分欧姆地延伸到与相邻第二电容像素关联的一区域中。