[发明专利]用于气相沉积应用的测量设备和方法

权利要求书

1. 一种用于在气相沉积应用中、特别是在有机发光二极管(OLED)大规模生产中确定第一蒸发源(11)的沉积速率或通过所述第一蒸发源(11)沉积在衬底(20)上的层(20a)的厚度的测量设备(40)，所述设备包括：

移动元件(41)，用于提供蒸汽的至少一个薄膜(41a)能够被沉积在其上的表面，其中所述薄膜(41a)将通过第二蒸发源(12b)在沉积位置(D1)中被沉积；

厚度检测器(45)，用于检测沉积在所述移动元件(41)上的薄膜(41a)厚度，其中所述厚度检测器(45)被与所述移动元件(41)面对面布置在检测位置(D2)处，沉积在所述移动元件(41)上的薄膜的厚度将在所述检测位置（D2）中被检测；

致动器装置(43)，用于输送所述移动元件(41)；

其中，所述测量设备(40)被布置成将所述移动元件(41)从所述沉积位置(D1)提供到所述检测位置(D2)，以及

其中，所述测量设备(40)被进一步布置成依赖于通过所述第二蒸发源(12b)沉积在所述移动元件(41)上的所述至少一个薄膜(41a)的厚度来测量和/或控制所述第一蒸发源(11)的沉积。

2. 根据权利要求1所述的设备，

其中，所述测量设备(40)被进一步布置成在特定时间延迟(Δ_t)内将所述移动元件(41)从所述沉积位置(D1)提供到所述检测位置(D2)；以及

其中对于检测的特定时刻(t_d2)来说，所述测量设备(40)被进一步布置成使所述移动元件(41)的特定表面区域与沉积的时刻(t_d1)相关，以便所述薄膜在这个表面区域中的厚度能够被与沉积的所述时刻(t_d1)相关地检测。

3. 根据权利要求2所述的设备，其中所述设备(40)被布置成参考在所述沉积位置(D1)处的沉积点(411)和在所述检测位置(D2)处的检测点(451)来调整沉积的所述时刻(t_d1)与检测的所述时刻(t_d2)之间的时间延迟(Δ_t)，并且其中所述时间延迟(Δ_t)是在数秒钟至数分钟的范围内。

4. 根据权利要求1所述的设备，其中所述致动器装置(43)被布置成调整运输的速度，其中所述厚度检测器(45)被布置成光学上检测所述薄膜的厚度，其中所述致动器装置(43)包括进给装置(43a)和暗盒(43b)，并且其中所述薄膜的最佳厚度的厚度值(v_t)是在约10至200 nm的范围内。

5. 根据权利要求1所述的设备，其中所述致动器装置(43)被以包括进给装置(43a)、暗盒(43b)以及至少一个偏转滑轮(42)的盒式带系统的形式提供，

其中，所述移动元件(41)是以带子的形式提供的带式输送机，

以及其中，所述带式输送机被布置成操控具有10至200 nm的厚度的薄膜。

6. 一种包括根据权利要求1的测量设备(40)的蒸发装置(10)，其进一步包括以具有用于将至少一个层沉积在衬底(20)上的多个喷淋喷嘴(11a)的喷淋头(11)为形式的第一蒸发源，以及用于将至少一个薄膜沉积在由所述测量设备(40)所提供的所述移动元件(41)上的第二蒸发源(12b)，

其中，由所述测量设备(40)所提供的所述致动器装置(43)被布置成在所述第二蒸发源(12b)旁边来输送所述移动元件(41)，以便薄膜能够被沉积在所述移动元件(41)上，以及

其中，所述蒸发装置(10)被布置成独立于沉积在所述衬底(20)上的任何层的厚度来在所述移动元件(41)上提供薄膜厚度。

7. 根据权利要求6所述的蒸发装置(10)，其中所述移动元件(41)被布置成提供这样的表面，薄膜能够通过所述第二蒸发源(12b)、与在所述衬底(20)上的层的沉积同时地被沉积在所述表面上，其以与所述衬底(20)的进给速率相同的进给速率进行沉积，以便运输的速度对应于所述衬底(20)的进给速率；以及

其中，所述装置(10)被布置成特别地基于由所述测量设备(40)所提供的特定时间延迟(Δ_t)信息来使所测量的薄膜厚度与通过所述第一蒸发源(11)沉积在所述衬底(20)上的层(20a)的厚度相关以便确定所述层(20a)的厚度。