[发明专利]投射设备

说明书

一种用于使光刻结构信息成像的投射设备(1)，包含：光学元件(2)，其至少部分具有由导电层材料构成的涂层(14)。涂层(14)包含连续区域(100)，该连续区域不具有遮挡投射光的元件。在该情况下，取决于温度变化，层材料和/或光学元件(2)改变光学特性，尤其是折射率或光学路径长度。提供至少一个单元(3)，用于将能量耦合进层材料中，该至少一个单元耦合能量使得层材料将耦合的能量转变为热能。层材料可包含石墨烯、铬和硫化钼(MoS₂)。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2011年6月20日提交的德国专利申请No.10 2011 077784.9的优先权。通过引用，将该专利申请的全文并入本申请。

技术领域

本发明涉及一种投射设备，例如用于使光刻结构成像。

背景技术

集成电路以及其他微结构化或纳米结构化部件的工业制造通常利用光刻方法实现。在该情况中，多个图案化层施加至适当的基板上，例如半导体晶片。为了图案化该层，该层首先覆盖有对特定波长范围内的辐射敏感的光刻胶。有利的是，使用具有尽可能短的波长的光用于曝光，因为待制造的结果的横向分辨率直接取决于光的波长。目前，特别的是，使用深紫外(DUV：深紫外，VUV：真空紫外)，或远紫外、极紫外光谱范围内的光或辐射。这还称为EUV＝极紫外。

DUV或VUV系统的惯用光波长通常为248nm、193nm，有时为157nm。为了获得甚至更高的光刻分辨率，使用直到具有几个纳米波长的软X射线辐射(EUV)的辐射。对于具有13.5nm的波长的光，例如可制造用于光刻目的的辐射源和光学单元。

因此，涂覆有光刻胶的相应晶片通过曝光设备曝光。在该情况中，借助于投射透镜，在掩模或掩模母版上制造的结构图案成像在光刻胶上。因为EUV辐射被物质大大地吸收，所以日益使用反射光学单元和掩模。折射光学单元通常用于大约为193nm的辐射。

在光刻胶显影后，晶片经受化学处理，因此，晶片的表面根据掩模上的图案而被图案化。然后，将未被处理的残留光刻胶从层的剩余部分冲洗掉。用于半导体制造或处理的其他已知方法，例如掺杂等可随后进行。重复该工艺直到所有层都已施加至晶片以形成半导体结构为止。

在光刻微结构或纳米结构成像在晶片表面上期间，通常不曝光整个晶片，而是仅曝光窄的区域。通常逐块地或逐槽地曝光晶片表面。在该情况中，晶片和掩模母版或掩模二者被逐步扫描且相对于彼此反平行移动。在该情况中，曝光区域常常为矩形区域。

由于在形成光学系统的透镜元件或反射镜中对投射光的吸收，可出现成像像差。例如非均匀加热的光致效应可引起透镜元件或反射镜的光学特性的局部变化。特别地，为了可将微光刻结构尽可能无瑕疵地成像在晶片上，设想用于补偿这种成像像差的机构。

举例而言，EP 1921505提出在光瞳平面附近施加加热线至单独可驱动的光学元件的表面。WO 2007/0 333 964 A1提出反射镜形式的自适应光学元件，该光学元件在反射层下方具有可被热操纵的校正层。

然而，可期望具有这样的措施，尤其在透射光操作中，这些措施使得可补偿由投射光导致的成像像差，并且优选在不引起遮挡的情况下实现该作用。

发明内容

因此，本发明的目的是提供改进的投射设备。

该目的利用包含专利权利要求1的特征的投射设备来实现。

从而，提出用于使光刻结构信息成像的投射设备，其包含：光学元件，其至少部分具有由导电层材料构成的涂层，其中该涂层包含连续区域，该连续区域不具有遮挡投射光的元件，并且层材料和/或光学元件根据温度变化改变光学特性，尤其是折射率或光学路径长度。该投射设备还包含用于将能量耦合进层材料中使得层材料将耦合的能量转变为热能的至少一个单元。