[发明专利]固体摄像装置

权利要求书

1.一种固体摄像装置，具备呈矩阵状而被配置的多个像素，所述固体摄像装置具备：

半导体衬底；

第一电极，被形成在所述半导体衬底的上方的所述像素内，且与相邻的所述像素电分离；

光电转换膜，被形成在所述第一电极上，且对光进行光电转换，从而得到信号电荷；

第二电极，被形成在所述光电转换膜上；

电荷积蓄区域，被形成在所述半导体衬底的所述像素内，且与对应的像素的所述第一电极电连接，积蓄由所述光电转换膜进行光电转换而得到的所述信号电荷；

复位栅极电极，被形成在所述像素内，且对所述电荷积蓄区域进行复位；

放大晶体管，被形成在所述像素内，且对被积蓄在对应的像素的所述电荷积蓄区域中的所述信号电荷进行放大；以及

由半导体材料构成的接触插头，被形成在所述像素内，且与所述电荷积蓄区域直接接触，用于将对应的像素的所述第一电极与所述电荷积蓄区域电连接。

2.如权利要求1所述的固体摄像装置，

所述电荷积蓄区域的导电型，与构成所述接触插头的半导体材料的导电型相同。

3.如权利要求2所述的固体摄像装置，

决定所述半导体材料的导电型的杂质的浓度，比决定所述电荷积蓄区域的导电型的杂质的浓度高。

4.如权利要求3所述的固体摄像装置，

所述电荷积蓄区域，包含与所述接触插头直接接触的杂质扩散层，

决定所述杂质扩散层的导电型的杂质的浓度，比决定所述电荷积蓄区域中包含的该杂质扩散层以外的区域的导电型的杂质的浓度高。

5.如权利要求1所述的固体摄像装置，

所述信号电荷的极性，与决定所述电荷积蓄区域的导电型的多数载流子的极性相反。

6.如权利要求1所述的固体摄像装置，

所述固体摄像装置还具备：

由绝缘体构成的元件分离区域，被形成在所述半导体衬底，且将所述电荷积蓄区域，与所述放大晶体管被形成的晶体管区域、以及相邻像素的所述电荷积蓄区域分离；以及

杂质区域，被形成在所述半导体衬底的所述元件分离区域与所述电荷积蓄区域之间，且所述杂质区域的导电型与所述电荷积蓄区域的导电型相反，

所述杂质区域的杂质浓度，比所述电荷积蓄区域的杂质浓度高，且比所述接触插头的杂质浓度小。

7.如权利要求1所述的固体摄像装置，

所述固体摄像装置还具备杂质区域，

所述杂质区域被形成在所述电荷积蓄区域的表面中的、不与所述接触插头接触的区域，且所述杂质区域的导电型与所述电荷积蓄区域的导电型相反。

8.如权利要求1所述的固体摄像装置，

所述接触插头的下部宽度，比该接触插头的上部宽度小。

9.如权利要求1至8的任一项所述的固体摄像装置，

所述接触插头含有硅或锗。