[发明专利]用于有机半导体器件的二酮基吡咯并吡咯低聚物

权利要求书

1.一种式化合物，其中

p为0或1，q为0或1，

A¹和A²相互独立地为式的基团，其中

a为1，b为0或1，c为0或1，

Ar¹为下式基团：

Ar²和Ar³相互独立地为下式基团：

R³为氢或C₁-C₂₅烷基，

A³、A⁴和A⁵相互独立地为式的基团，

k为0、1或2；l为1、2或3；r为0或1；z为0、1或2；其中k+l+r+z为1或3；

Ar⁴、Ar⁵、Ar⁶和Ar⁷相互独立地为下式基团：

R¹⁰为氢、C₁-C₂₅烷基或COO-C₁-C₂₅烷基，

R¹⁶和R¹⁷相互独立地为氢、卤素、C₁-C₂₅烷基、C₁-C₂₅烷氧基、C₇-C₂₅芳基烷基或

R^x为C₁-C₁₂烷基或三(C₁-C₈烷基)甲硅烷基，

R²⁰和R²¹相互独立地为氢或C₁-C₂₅烷基，

R³⁰-R³⁵相互独立地为氢或C₁-C₂₅烷基，和

R⁴²和R⁴³相互独立地为C₁-C₂₅烷基，

R¹、R²、R^1’、R^2’、R^1”、R^2”、R^1*和R^2*可相同或不同且选自C₁-C₅₀烷基，条件为如果q为0，p为0，k为0，r为0，z为0和l为1，则Ar⁵不为基团

2.根据权利要求1的化合物，其为下式化合物：

其中A¹、A²、A³、A⁴、A⁵、R¹、R²、R^1’、R^2’、R^1”、R^2”、R^1*和R^2*如权利要求1所定义。

3.根据权利要求1的化合物，其中

A¹和A²相互独立地为式的基团，其中

a为1，b为0或1，c为0或1，

Ar²和Ar³相互独立地为和

R³为H或C₁-C₂₅烷基。