[发明专利]选择性浸取的切削器

权利要求书

1.一种制造多晶金刚石(PCD)切削元件的方法，包括：

利用结合剂-催化材料(214)来浸取由金刚石颗粒(202)形成的PCD本体，以从所述PCD本体的切削表面(22)的多个部分(24)去除全部的结合剂-催化材料；

其中，所述方法包括将所述切削表面的一部分标识为切削区域，在使用所述切削元件来切削材料期间，所述切削区域由所述切削元件的切削动作来加热；以及

其中，对所述PCD本体进行浸取包括在所述切削表面的被标识为切削区域的所述部分进行一次浸取，且在所述切削表面的至少围绕被标识的所述切削区域的部分进行另一次浸取，且所述一次浸取比所述另一次浸取深。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在进行所述一次浸取时，所述切削表面的围绕所述切削区域的部分被遮蔽；和/或其中，在进行所述另一次浸取之前进行所述一次浸取。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述另一次浸取被用于所述PCD本体的所有的切削表面。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述切削表面的中心部不进行浸取。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，进行所述另一次浸取包括在所述PCD本体的从所述切削表面延伸的侧表面上进行所述另一次浸取。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述PCD本体是圆柱体，并且所述切削表面是所述圆柱体的多个端面之一；而且其中，被标识的所述切削区域包括在所述切削表面与所述圆柱体的侧壁之间，围绕所述切削表面延伸的切削边缘的至少一部分；而且其中，所述切削边缘能够是位于所述切削表面与所述侧壁之间的倒角边缘。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中：

标识所述切削区域包括标识多个区域，所述多个区域依据所述PCD切削元件在使用中的方向而独立地作为所述切削区域工作；而且

对所述PCD本体进行浸取包括在所述切削表面的被标识为所述切削区域的多个区域中的每一个区域进行所述一次浸取，且在所述切削表面的至少围绕每一个被标识的切削区域的部分进行所述另一次浸取。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，进行所述一次浸取包括同时地浸取所述切削表面的所有的被标识为切削区域的所述多个区域。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述多个区域中的两个或更多个区域相同，并且被设置为围绕所述PCD本体的轴线旋转对称，由此在使用被保持在切削工具中的所述切削元件时，在所述两个或三个或更多个区域中的第一个区域已独立地作为切削区域工作并且被磨损之后，所述PCD本体能够围绕所述轴线旋转，以将被磨损的第一个区域带出切削方向，并且将所述两个或三个或更多个区域中的另一个区域带入所述切削方向。

10.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述切削元件包括一个或多个标记以指示被标识的所述切削区域的位置。

11.根据权利要求6所述的方法，其中，被标识的所述切削区域包括全部的所述切削边缘，所述切削边缘完全地围绕所述切削表面延伸。

12.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，浸取还包括在通过所述一次浸取来浸取的那些部分与通过所述另一次浸取来浸取的那些部分之间的过渡区中执行不同深度的浸取，以获得期望的浸取深度轮廓。

13.一种多晶金刚石(PCD)切削元件，包括：

PCD本体(20)，显示出切削面(22)，并围绕所述切削面的至少一部分限定切削边缘(23)；

其中，所述PCD本体包括晶间键合金刚石颗粒的金刚石基体(200)，所述金刚石基体限定包含结合剂-催化材料(214)的空隙区(212)；

其中，位于所述金刚石基体的表面处的第一区直到不小于0.15mm的深度D不包括所述结合剂-催化材料，所述第一区包括所述切削边缘的至少一部分；而且

其中，位于所述金刚石基体的围绕所述第一区的表面处的第二区直到不小于约0.01mm并且不大于0.12mm的深度不包含所述结合剂-催化材料。

14.根据权利要求13所述的切削元件，其中，位于所述金刚石基体的表面处的第二区包括所述PCD本体的侧表面的至少一部分，所述侧表面从所述切削面延伸并在所述切削边缘处与所述切削面会合。

15.一种钻头，包括根据权利要求1至12中任一项所述的方法制造的切削元件或根据权利要求13或14的所述的切削元件。