[发明专利]含氟聚合物、含氟聚合物的制造方法以及高分子多孔质膜有效
| 申请号： | 201280029865.X | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN103619891A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 盐谷优子;田中义人;三木淳 | 申请（专利权）人： | 大金工业株式会社 |
| 主分类号： | C08F214/22 | 分类号： | C08F214/22;B01D71/34;B01D71/36;C08F8/00;C08F214/26;C08J9/28 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;张志楠 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 聚合物 制造 方法 以及 高分子 多孔 质膜 | ||
1.一种含氟聚合物，其特征在于，其具有偏二氟乙烯单元、四氟乙烯单元以及下式(1)所表示的单元，
-CHX1-CX2(OR)-···(1)
式(1)中，X1和X2中的一个为氢原子、另一个为氟原子，R为氢原子和碳原子数为1～8的烷基中的任意一种。
2.根据权利要求1所述的含氟聚合物，其中，所述式(1)中的R为氢原子、甲基或乙基。
3.根据权利要求1或2所述的含氟聚合物，其中，以XPS测定的聚合物表面上的O元素含量相对于F元素含量的比例即O/F为0.050以上且小于0.150，XPS即X射线光电子能谱法。
4.根据权利要求1、2或3所述的含氟聚合物，其中，以XPS测定的聚合物表面上的C-F键相对于C-H键的比例即C-F/C-H大于0.50，XPS即X射线光电子能谱法。
5.一种含氟聚合物的制造方法，其为制造权利要求1、2、3或4所述的含氟聚合物的方法，其特征在于，在水和/或碳原子数为1～8的醇的存在下对含有偏二氟乙烯单元和四氟乙烯单元的含氟聚合物实施碱处理。
6.根据权利要求5所述的含氟聚合物的制造方法，其中，所述醇为乙醇或者甲醇。
7.根据权利要求5或6所述的含氟聚合物的制造方法，其中，所述含有偏二氟乙烯单元和四氟乙烯单元的含氟聚合物中，偏二氟乙烯单元/四氟乙烯单元以摩尔比计为50～90/50～10。
8.一种高分子多孔质膜，其特征在于，其含有权利要求1、2、3或4所述的含氟聚合物。
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