[发明专利]AlN基板及其制造方法

权利要求书

1.一种AlN基板，其特征在于，是具有与其他构件的接合面的AlN基板，

所述AlN基板由包含2A族元素及3A族元素的AlN的烧结体形成，

所述接合面的表面粗糙度Ra为15nm以下，

在所述接合面上露出的长径0.25μm以上的空隙的、所述长径的平均值为1.5μm以下且最大值为1.8μm以下。

2.根据权利要求1所述的AlN基板，其中，

所述2A族元素为选自Ca及Mg中的至少1种。

3.根据权利要求1或2所述的AlN基板，其中，

以氧化物换算计为0.009质量％以上且0.28质量％以下的比例包含所述2A族元素。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的AlN基板，其中，

所述3A族元素为选自Y及镧系元素中的至少1种。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的AlN基板，其中，

以氧化物换算计为0.02质量％以上且4.5质量％以下的比例包含所述3A族元素。

6.一种AlN基板的制造方法，其特征在于，是用于制造所述权利要求1～5中任一项所述的AlN基板的制造方法，其包括如下工序：

利用包含88.7质量％以上且98.5质量％以下的AlN、以氧化物换算计为0.01质量％以上且0.3质量％以下的2A族元素、以氧化物换算计为0.05质量％以上且5质量％以下的范围的3A族元素的烧结材料，形成所述AlN基板的前体的工序；

使所述前体在1500℃以上且1900℃以下的温度下烧结，形成烧结体的工序；以及

在1450℃以上且2000℃以下的温度及9.8MPa以上的压力下对所述烧结体进行热等静压处理的工序。

7.根据权利要求6所述的AlN基板的制造方法，其中，

所述烧结材料在以氧化物换算计为0.05质量％以上且5质量％以下的范围还包含不构成AlN的Al。

8.根据权利要求6或7所述的AlN基板的制造方法，其中，

所述烧结材料不包含Si，或者在以氧化物换算计为1质量％以下的范围包含Si。