[发明专利]用于半结晶聚合物冷却和造粒的方法

权利要求书

1.半结晶聚合物造粒的方法，所述方法包括：

a.提供具有进口和出口的容器；

b.将包含半结晶聚合物和溶剂的第一聚合物组合物引入到容器的进口中；

c.将第一聚合物组合物在容器中经受真空，以便从第一聚合物组合物中除去至少部分的溶剂并降低第一聚合物组合物的温度，形成包含半结晶聚合物的第二聚合物组合物，且其具有比第一聚合物组合物更低的溶剂含量和更低的温度；

d.从容器出口将第二聚合物组合物排出；

e.将第二聚合物组合物进料到造粒机；和

f.从造粒机排出经粒化的聚合物产品，

其中第二聚合物组合物包括小于或等于大约1wt%的溶剂，并且第二聚合物组合物在容器出口处的温度（Tf）和半结晶聚合物的第一结晶温度（Tc1）之间的关系满足式Tf≤Tc1+60，其中Tf和Tc1是摄氏度。

2.权利要求1的方法，其中所述半结晶聚合物具有大于30℃的熔点以及大于5J/g并低于大约70J/g的熔化热。

3.权利要求1的方法，其中所述半结晶聚合物在190℃下具有低于20,000cP的粘度。

4.权利要求1的方法，其中所述造粒机包括造粒模头，并且其中造粒模头温度（Td）满足式Tc1-30≤Td≤Tc1+30，其中Td为摄氏度。

5.权利要求1的方法，其中所述半结晶聚合物具有大约10,000至大约200,000的Mw。

6.权利要求1的方法，其中所述第二聚合物组合物具有大约5,000至大约500,000cP的粘度。

7.权利要求1的方法，其中所述第二聚合物组合物在容器出口处的温度（Tf）与所述半结晶聚合物的第一结晶温度（Tc1）之间的关系满足式Tc1-30≤Tf≤Tc1+60。

8.权利要求1的方法，其中容器进一步包括：

a.至少一个真空端口和至少一个搅拌器轴端口；

b.穿过至少一个搅拌器轴端口的搅拌器轴，其中搅拌器轴具有在容器外部的外部部分和延伸到容器中的内部部分，搅拌器轴的内部部分包括搅拌装置；

c.用于密封搅拌器轴的、与每个搅拌器轴端口有关的搅拌器轴密封件；和

d.位于容器外面、用于旋转搅拌器轴的至少一个马达。

9.用于聚合物组合物造粒的系统，所述系统包括：

a.容器，其具有将第一聚合物组合物引入到容器的聚合物入口和将第二聚合物组合物排出的聚合物出口；

b.在具有溶剂出口的容器内部的脱挥发份区域，其用于将溶剂从第一聚合物组合物除去以形成第二聚合物组合物；

c.纵向穿过容器的搅拌器轴，用于搅拌容器的内容物；

d.位于容器外面、用于旋转搅拌器轴的马达；和

e.造粒机，用于在排出容器时将第二聚合物组合物造粒；

其中第一聚合物组合物包含半结晶聚合物和溶剂，第二聚合物组合物包含半结晶聚合物和小于1wt%的溶剂，第二聚合物组合物在容器出口的温度比第一聚合物组合物在容器进口的温度要低，在脱挥发份区域内部的条件要使得真空得以保持，以促进通过蒸发将至少一部分溶剂从第一聚合物组合物除去。

10.权利要求9的系统，其中所述第二聚合物组合物在容器出口处的温度比所述第一聚合物组合物在容器进口处的温度要低至少大约10℃。

11.权利要求9的系统，进一步包括位于容器的聚合物出口和造粒机之间的聚合物排出螺杆。

12.权利要求9的系统，其中所述造粒机为水下造粒机。

13.权利要求9的系统，其中所述第二聚合物组合物在容器出口处的温度（Tf）与半结晶聚合物的第一结晶温度（Tc1）之间的关系满足式Tf≤Tc1+60。

14.权利要求13的系统，其中所述第二聚合物组合物在容器出口处的温度（Tf）与所述半结晶聚合物的结晶温度（Tc1）之间的关系满足式Tc1-30≤Tf≤Tc1+60。

15.权利要求9的系统，其中所述半结晶聚合物具有大约10,000至大约200,000的Mw。

16.权利要求9的系统，其中所述半结晶聚合物的熔化热为大约5至大约70J/g。