[发明专利]在裁切晶粒附着膜或其它材料层之前，蚀刻激光切割半导体

权利要求书

1.一种裁切半导体晶圆的方法，所述半导体晶圆包含一顶端表面与一底部表面，所述底部表面会被附着至一下方材料层，所述方法包括：

产生一第一激光射束；

让所述第一激光射束相对于所述半导体晶圆的所述顶端表面进行相对移动，以便沿着一或多条裁切道从所述顶端表面处至少部分裁切所述半导体晶圆，所述第一激光射束会在所述半导体晶圆之中形成由侧壁所定义的一切口；

蚀刻已至少部分裁切的所述半导体晶圆的所述侧壁，用以缩减或移除因所述第一激光射束在所述侧壁之中所产生的一热影响区带(HAZ)；以及

沿着一或多条所述裁切道来切割贯穿所述下方材料层，以便将一晶粒与具有至少一预设晶粒破损强度的所述半导体晶圆分离并且产生至少等于一预设最小良率的操作晶粒的一良率，

所述侧壁蚀刻是在切割贯穿所述下方材料层之前先被实施，以便在所述侧壁的蚀刻期间减少或防止所述侧壁上来自所述下方材料层的碎屑。

2.如权利要求1的方法，其中，所述下方材料层包括一晶粒附着膜(DAF)。

3.如权利要求2的方法，其中，切割贯穿所述下方材料层包括：

产生一第二激光射束；以及

让所述第二激光射束沿着一或多条所述裁切道相对于所述DAF进行相对移动。

4.如权利要求3的方法，其中，所述第一激光射束包括具有一紫外光(UV)波长以及选择自由包括奈秒时间脉冲宽度与皮秒时间脉冲宽度的群组中的时间脉冲宽度的一脉冲式激光射束。

5.如权利要求4的方法，其中，所述第二激光射束包括具有一可见光波长以及奈秒时间脉冲宽度的一脉冲式激光射束。

6.如权利要求2的方法，其中，蚀刻所述侧壁包括利用被配置成用以从所述半导体晶圆处移除半导体材料的一第一蚀刻剂；以及

其中，切割贯穿所述下方材料层则包含利用被配置成用以移除所述DAF材料的一第二蚀刻剂。

7.如权利要求6的方法，其中，所述第一蚀刻剂包括一自发性蚀刻剂。

8.如权利要求7的方法，其中，所述自发性蚀刻剂包括二氟化氙(XeF₂)。

9.如权利要求6的方法，其中，所述第二蚀刻剂包括一氧化物蚀刻剂。

10.如权利要求1的方法，其中，所述顶端表面包括一或多个装置层，其包含由多个彼此隔开的电子电路器件所组成的一图样，所述电子电路器件通过一或多条线道来分离，所述方法进一步包括：

在产生所述第一激光射束之前，涂敷一涂层至所述半导体晶圆，以便保护所述半导体晶圆，使其不会受到所述第一激光射束所产生的碎屑的影响；

在所述第一激光射束沿着一或多条所述裁切道进行第一次移动中，切划一或多个所述装置层；以及

在所述第一激光射束沿着一或多条所述线道进行第二次移动中至少部分裁切所述半导体晶圆之后并且在蚀刻所述侧壁之前，清洗所述半导体晶圆，以便移除所述涂层。

11.如权利要求1的方法，其中，所述下方材料层包括一金属。

12.如权利要求11的方法，其中，切割贯穿所述下方材料层包括：

产生一第二激光射束；以及

让所述第二激光射束沿着一或多条所述裁切道相对于所述金属进行相对移动。

13.如权利要求11的方法，其中，蚀刻所述侧壁包括利用被配置成用以从所述半导体晶圆处移除半导体材料的一第一蚀刻剂；以及

其中，切割贯穿所述下方材料层则包含利用被配置成用以移除所述金属的一第二蚀刻剂。