[发明专利]具有倾斜超结漂移结构的DMOS晶体管

权利要求书

1.一种DMOS晶体管，其包括：

半导体结构，其具有：

顶表面；

从所述顶表面延伸到所述半导体结构内的开口，所述开口具有底表面和侧壁表面；

接触所述开口的所述底表面的第一导电类型的漏区；

接触所述顶表面的第二导电类型的体区；

接触所述开口的所述侧壁表面的漂移结构，所述漂移结构具有所述第一导电类型的第一区和所述第二导电类型的第二区，所述第一区接触所述漏区并且具有充分平行于所述开口的所述侧壁表面的第一区表面，所述第二区接触所述体区并且具有接触所述第一区表面的第二区表面；

接触所述体区的所述第一导电类型的源区；以及

水平地位于所述漂移结构和所述源区之间并与二者接触的所述体区的沟道区。

2.根据权利要求1所述的DMOS晶体管，其中所述侧壁表面是倾斜的。

3.根据权利要求1所述的DMOS晶体管，其进一步包括：

接触所述体区的所述沟道区并位于其上方的非导电结构；以及

接触所述非导电结构并位于所述体区的沟道区上方的栅极。

4.根据权利要求1所述的DMOS晶体管，其中所述漂移结构的所述第一区是接触所述开口的所述侧壁表面的外延层。

5.根据权利要求1所述的DMOS晶体管，其中所述漂移结构包含接触所述第一区的所述第二导电类型的第三区以及接触所述第三区的所述第一导电类型的第四区。

6.根据权利要求1所述的DMOS晶体管，其中所述第二区具有杆状形状。

7.根据权利要求1所述的DMOS晶体管，其中所述第二区具有球形形状。

8.根据权利要求1所述的DMOS晶体管，其进一步包括接触所述漏区的非导电材料。

9.根据权利要求2所述的DMOS晶体管，其中一部分所述栅极位于所述开口内。

10.根据权利要求5所述的DMOS晶体管，其中所述漂移结构的所述第三区和所述第四区是外延层。

11.一种DMOS晶体管，其包括：

半导体结构，其具有：

顶表面；

从所述顶表面延伸到所述半导体结构内的开口，所述开口具有底表面和侧壁表面；

接触所述开口的所述底表面的第一导电类型的漏区；

接触所述顶表面的第二导电类型的体区；

接触所述开口的所述侧壁表面的漂移结构，所述漂移结构具有多个间隔开的所述第一导电类型的第一区和多个间隔开的所述第二导电类型的第二区，每个第一区接触所述漏区并具有充分平行于所述开口的所述侧壁表面的第一区表面，每个所述第二区接触所述体区并具有接触所述第一区表面的第二区表面；

接触所述体区的所述第一导电类型的源区；以及

水平地位于所述漂移结构和所述源区之间并与二者接触的所述体区的沟道区。

12.根据权利要求11所述的DMOS晶体管，其中所述侧壁表面是倾斜的。

13.根据权利要求11所述的DMOS晶体管，其进一步包括：

接触所述体区的所述沟道区并位于其上方的非导电结构；以及

接触所述非导电结构并位于所述体区的所述沟道区上方的栅极。

14.根据权利要求11所述的DMOS晶体管，其中所述漂移结构进一步包含多个间隔开的所述第二导电类型的第三区，其位于所述多个间隔开的第一区之间并与其接触，每个第三区接触所述漏区并具有充分平行于所述开口的所述侧壁表面的第三区表面。

15.一种形成DMOS晶体管的方法，其包括：

在半导体结构的顶表面中形成开口，所述开口从所述顶表面延伸到所述半导体结构内，所述开口具有底表面和侧壁表面；

形成接触所述开口的所述底表面的第一导电类型的漏区；

形成接触所述顶表面的第二导电类型的体区；

形成接触所述开口的所述侧壁表面的漂移结构，所述漂移结构具有所述第一导电类型的第一区和所述第二导电类型的第二区，所述第一区接触所述漏区并具有充分平行于所述开口的所述侧壁表面的第一区表面，所述第二区接触所述体区并具有接触所述第一区表面的第二区表面；以及

形成接触所述体区的所述第一导电类型的源区。