[发明专利]用于生产具有单晶或多晶结构的材料的方法和装置

权利要求书

1.一种用于生产具有单晶结构或多晶结构的材料的方法，所述方法具有以下步骤：

a)将微粒材料混合物引入到容器(4)的入口中，

b)对所述容器(4)的熔融区中的所述材料混合物进行加热，

特征在于

经由所述容器(4)的入口与出口(10)之间的压力差对所述熔融区中的所述材料混合物进行静态支撑。

2.如权利要求1所述的方法，在两个腔室(1、2)之间进行所述静态支撑，所述两个腔室由所述容器(4)分开并且在所述两个腔室之间存在所述压力差。

3.如权利要求1或2所述的方法，所述方法在步骤b)之后此外具有以下步骤：

c)在所述容器(4)的出口(10)处或靠近所述容器(4)的出口(10)处，使优选地处于所述熔融区中的所述材料混合物与晶种(12)接触，所述晶种(12)优选地是籽晶。

4.如权利要求3所述的方法，所述方法在步骤c)之后此外具有以下步骤：

d)从所述熔融区中提拉出所述籽晶以形成单晶半导体硅棒。

5.一种用于生产具有单晶结构或多晶结构的材料的装置，所述装置具有

容器(4)，所述容器具有入口，可以经由所述入口引入微粒材料混合物，

加热器件(18)，可以借助于所述加热器件在所述容器(4)的熔融区中对所述材料混合物进行加热，

压力产生器件(26、30、36)，所述压力产生器件用于在所述容器(4)的入口与出口(10)之间产生压力差，可以经由所述压力差对所述熔融区中的所述材料混合物进行静态支撑。

6.如权利要求5所述的装置，所述装置具有两个腔室(1、2)，所述两个腔室由所述容器(4)分开并且在所述两个腔室之间存在所述压力差。

7.如权利要求4或6所述的装置，所述装置具有差压调节器件(62)，可以经由所述差压调节器件控制或调节所述两个腔室(1、2)之间的差压，并且所述装置优选地具有差压控制器件(30、60、62)，所述差压控制器件连接所述两个腔室(1、2)并且可以经由所述差压控制器件控制或调节所述两个腔室(1、2)之间的差压。

8.如权利要求5至7中任一项所述的装置，所述装置具有晶种，可以经由所述晶种使优选地处于所述熔融区中的所述材料混合物在所述容器的出口(10)处或靠近所述容器的出口(10)处被接触并且可以经由所述晶种从所述熔融区提拉出半导体材料。

9.如权利要求5至8中任一项所述的装置，所述材料是半导体材料、化合物半导体和/或金属合金。

10.如权利要求5至9中任一项所述的装置，经由测量所述容器中所述材料的直径来对所述容器中所述材料的体积进行测量。