[发明专利]串联连接分段式发光二极管

权利要求书

1.一种光源，包括：

导电衬底；

发光结构，所述发光结构包括：

具有第一导电类型的半导体材料的第一层，其位于所述衬底上方；

活性层，其位于所述第一层上方；以及

具有与所述第一导电类型相反的导电类型的半导体材料的第二层，其位于所述活性层上方；

阻挡层，其将所述发光结构划分为彼此电隔离的第一区段和第二区段；

连接电极，其将所述第一区段中的所述第一层连接至所述第二区段中的所述第二层；以及

镜子，其与所述区段中的每一区段中的所述第一层电接触，所述连接电极将所述第一区段中的所述镜子连接至所述第二区段中的所述第二层，

其中所述衬底包括将所述第一区段和所述第二区段中的所述镜子彼此电隔离的第一隔离区和第二隔离区。

2.如权利要求1所述的光源，进一步包括：

第一电源触点，其电连接至所述第一区段中的所述第二层；以及

第二电源触点，其电连接至所述第二区段中的所述第一层，其中在所述第一电源触点和所述第二电源触点之间生成电势差时，所述第一区段和第二区段生成光。

3.如权利要求1所述的光源，其中所述隔离区包括位于所述镜子与所述导电衬底之间的绝缘层。

4.如权利要求1所述的光源，其中所述导电衬底包括具有第一导电类型的半导体材料，并且所述隔离区包括在所述半导体材料中具有第二导电类型的区域。

5.如权利要求1所述的光源，其中所述导电衬底通过金属层接合至所述发光结构。

6.如权利要求1所述的光源，其中所述第一层包括p型GaN族成员。

7.如权利要求1所述的光源，其中所述导电衬底包括硅晶圆。

8.如权利要求1所述的光源，其中所述第一半导体层包括n型GaN族成员。

9.一种用于制造光源的方法，所述方法包括：

在第一衬底上沉积发光结构，所述发光结构包括：

具有第一导电类型的第一半导体层，其沉积于所述衬底上；

活性层，其位于所述第一层上方；以及

具有与所述第一导电类型相反的导电类型的第二半导体层，其位于所述活性层上方；

在所述第二层之上构图金属镜子层，所述金属镜子层与所述第二层电接触；

沉积位于所述镜子层上方的金属接合层；

将所述金属层接合至第二衬底；

移除所述第一衬底，从而暴露出所述第一半导体层；

生成阻挡层，所述阻挡层将所述发光结构划分为彼此电隔离的第一区段和第二区段；以及

沉积串联连接电极，所述串联连接电极将所述第一区段中的所述第一层连接至所述第二区段中的所述第二层。

10.如权利要求9所述的方法，进一步包括：沉积第一电源触点，所述第一电源触点电连接至所述第一区段中的所述第二层；以及沉积第二电源触点，所述第二电源触点电连接至所述第二区段中的所述第一层，其中在所述第一电源触点和第二电源触点之间生成电势差时，所述第一区段和第二区段生成光。

11.如权利要求9所述的方法，其中所述第二衬底包括将所述第一区段和第二区段中的所述镜子彼此电隔离的第一隔离区和第二隔离区。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述隔离区包括位于所述镜子与所述第二衬底之间的绝缘层。

13.如权利要求11所述的方法，其中所述第二衬底包括具有第一导电类型的半导体材料，并且所述隔离区包括在所述半导体材料中具有第二导电类型的区域。

14.如权利要求9所述的方法，其中所述第一衬底包括硅晶圆。

15.如权利要求9所述的方法，其中所述第二衬底包括硅晶圆。

16.如权利要求9所述的方法，其中所述第一半导体层包括n型GaN族成员。