[发明专利]用于反射来自发光二极管的多波长光的分布式布拉格反射器

权利要求书

1.一种发光二极管(LED)装置，包括：

基板；以及

反射器结构，设置于所述基板下方，所述反射器结构包括：

低折射率全内反射层（TIR），设置于所述基板下方；

分布式布拉格反射器（DBR），设置于所述TIR下方；以及

反射金属层，设置于所述DBR下方，其中所述DBR包括第一多个周期以及第二多个周期，其中所述第一多个周期中的每一个包括具有第一厚度的高折射率介电材料的第一层，以及具有第二厚度的低折射率介电材料的第二层，并且其中所述第二多个周期中的每一个包括具有第三厚度的所述高折射率介电材料的第一层，以及具有第四厚度的所述低折射率介电材料的第二层。

2.如权利要求1所述的LED装置，其中所述高折射率介电材料取自由以下构成的组：TiO₂、ZnSe、Si₃N₄、Nb₂O₅和Ta₂O₅；并且其中所述低折射率介电材料取自由以下构成的组：SiO₂、MgF₂和CaF₂。

3.如权利要求1所述的LED装置，其中所述反射器结构对于从所述基板传输至所述反射器结构的第一光具有大于90%的反射率，并且其中所述第一光具有介于500nm至700nm的第一范围中的波长。

4.如权利要求3所述的LED装置，其中所述反射器结构对于从所述基板传输至所述反射器结构的第二光具有大于90%的反射率，并且其中所述第二光具有介于440nm至470nm的第二范围中的波长。

5.如权利要求1所述的LED装置，其中所述第一多个周期中的每一个的所述第一层为厚度大约75nm的二氧化钛，其中所述第一多个周期中的每一个的所述第二层为厚度大约138nm的二氧化硅，其中所述第二多个周期中的每一个的所述第一层为厚度大约46nm的二氧化钛，且其中所述第二多个周期中的每一个的所述第二层为厚度大约85nm的二氧化硅。

6.如权利要求5所述的LED装置，其中所述DBR的所述第一多个周期的二氧化钛层与所述TIR接触。

7.如权利要求5所述的LED装置，其中所述DBR的所述第二多个周期的二氧化钛层与所述第一多个周期的二氧化硅层接触。

8.如权利要求1所述的LED装置，其中所述TIR为单个二氧化硅层。

9.如权利要求5所述的LED装置，其中所述TIR为比所述DBR的任一二氧化硅层厚的单个二氧化硅层。

10.如权利要求1所述的LED装置，其中所述反射金属层由取自由以下构成的组中的金属制成：铝、银、铑、铂以及镍。

11.如权利要求1所述的LED装置，其中所述基板为透明基板。

12.一种发光二极管（LED）装置，包括：

基板；

有源层，配置成发出波长低于500nm的第二光，其中所述有源层包括铟和镓；以及

反射器结构，设置于所述基板的与所述有源层相对的一侧，其中所述反射器结构包括分布式布拉格反射器（DBR），其中所述反射器结构对于从所述基板传输并到达所述反射器结构的第一光，具有大于90.0%的反射率，并且其中所述第一光具有介于500nm至700nm的范围中的波长。

13.如权利要求12所述的LED装置，其中所述DBR包括：

第一多个周期，其中所述第一多个周期中的每一个包括具有第一厚度的第一材料的第一层，以及具有第二厚度的第二材料的第二层；以及

第二多个周期，其中所述第二多个周期中的每一个包括具有第三厚度的所述第一材料的第一层，以及具有第四厚度的所述第二材料的第二层。

14.一种发光二极管（LED）装置，包括：

基板；

有源层，配置成发出波长低于500nm的光，其中所述有源层包括铟和镓；以及

构件，用于反射从所述基板传输至所述构件的光，以使得整体LED装置对于波长介于500nm至700nm范围中的光表现出大于85%的光子回收效率（PRE）。