[发明专利]光电子半导体芯片、具有这种半导体芯片的显示器和这种半导体芯片或显示器的应用有效

专利信息
申请号: 201280028239.9 申请日: 2012-06-06
公开(公告)号: CN103597620B 公开(公告)日: 2017-05-24
发明(设计)人: 马丁·鲁道夫·贝林格;奥利弗·冈瑟 申请(专利权)人: 欧司朗光电半导体有限公司
主分类号: H01L33/44 分类号: H01L33/44;H05B33/08
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 张春水,田军锋
地址: 德国雷*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 光电子 半导体 芯片 具有 这种 显示器 应用
【权利要求书】:

1.一种用于以第一运行模式(B1)和与所述第一运行模式不同的第二运行模式(B2)运行光电子半导体芯片(10)的方法,其中

-所述半导体芯片具有半导体层序列(1),所述半导体层序列具有设为用于产生辐射的有源层(1a),

-所述半导体芯片在所述第一运行模式(B1)中以穿过所述半导体层序列的第一运行电流(I1)在导通方向上运行,使得所述半导体层序列发射辐射,

-所述半导体芯片在所述第二运行模式(B2)中以第二运行电流(I2)在截止方向上运行,使得所述半导体芯片不发射辐射,以及

-所述第二运行模式(B2)设为用于减小所发射的辐射由于在接通到所述第一运行模式(B1)时的温度变化所引起的波长移动,或者所述第二运行模式(B2)设为用于通过如下方式阻止湿气凝结在所述半导体芯片上:即所述半导体芯片(10)在所述第二运行模式中能够运行为,使得所述半导体层序列(1)在所述第二运行模式中的温度保持得比所述半导体层序列(1)在关断的运行模式中的温度高至少2℃或者所述第二运行电流的电流强度的数值是所述第一运行电流的电流强度的数值的最多10%。

2.根据权利要求1所述的方法,

其中在所述第二运行模式(B2)中所述半导体层序列(1)的温度比所述半导体层序列(1)在关断的运行状态下的温度高至少2℃。

3.根据权利要求1所述的方法,

其中在所述第二运行模式(B2)中,所述半导体层序列(1)的温度保持为高于环境温度。

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