[发明专利]生成超材料的方法及由此生成的超材料

权利要求书

1.一种生成在可见光-红外范围内可操作的超材料的方法，所述方法包括

a)将导电材料层沉积在基板上；

b)在所述导电材料层上形成电子束光刻胶层；

c)使用电子束光刻将所述电子束光刻胶层图案化以形成有图案的基板；

d)将贵金属层沉积在所述有图案的基板上；和

e)除去所述光刻胶。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电材料包含选自由氧化铟锡、氧化铟锌和锡氧化物组成的组中的透明材料。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述导电材料包含氧化铟锡或由氧化铟锡组成。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述导电材料层通过溅射而沉积。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述电子束光刻胶包含聚(甲基丙烯酸甲酯)和聚甲基戊二酰亚胺中的至少一种。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中通过旋涂形成所述电子束光刻胶层。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述贵金属包括金、银或其合金。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中所述贵金属通过热蒸发而沉积。

9.根据权利要求1所述的方法，进一步包含在步骤(d)之前沉积粘附层。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述粘附层包含铬、钛或其合金，或由铬、钛或其合金组成。

11.根据权利要求9或10所述的方法，其中所述粘附层通过热蒸发而沉积。

12.一种在所述可见光-红外范围内可操作的超材料，所述超材料通过根据权利要求1至11中任一项所述的方法制造。

13.一种在所述可见光-红外范围内可操作的超材料，所述超材料在基板上包含具有约20nm至约40nm的最小线宽的裂环谐振器。

14.根据权利要求13所述的超材料，其中所述裂环谐振器具有约20nm至约25nm的最小线宽。

15.根据权利要求13或14所述的超材料，其中所述裂环谐振器为C形、E形、H形、S形、U形、U槽形、V形、W型或Y形。

16.根据权利要求15所述的超材料，其中所述裂环谐振器为Y形。

17.根据权利要求13至16中任一项所述的超材料，其中所述裂环谐振器包含贵金属。

18.根据权利要求17所述的超材料，其中所述贵金属包括金、银或其合金。

19.根据权利要求17或18所述的超材料，其中所述贵金属在所述裂环谐振器的表面上作为具有约5nm至约500nm的厚度的层存在。

20.根据权利要求19所述的超材料，其中所述贵金属层的厚度为约30nm。

21.根据权利要求17至20中任一项所述的超材料，进一步在所述贵金属层与所述基板之间包含导电材料层。

22.根据权利要求21所述的超材料，其中所述导电材料层包含选自由氧化铟锡、氧化铟锌和锡氧化物组成的组中的透明材料。

23.根据权利要求22所述的超材料，其中所述导电材料层包含氧化铟锡或由氧化铟锡组成。

24.根据权利要求23所述的超材料，其中所述氧化铟锡层的厚度为约50nm至约200nm。

25.根据权利要求24所述的超材料，其中所述氧化铟锡层的厚度为约100nm。

26.根据权利要求17至25中任一项所述的超材料，进一步在所述贵金属层与所述导电材料层之间包含粘附材料层。

27.根据权利要求26所述的超材料，其中所述粘附材料层包含铬、钛或其合金或由铬、钛或其合金组成。

28.根据权利要求27所述的超材料，其中所述铬层的厚度为约1nm至约10nm。

29.根据权利要求28所述的超材料，其中所述铬层的厚度为约2nm。