[发明专利]用于制造薄膜电池的方法与混合型工厂

权利要求书

1.一种用于制造锂基薄膜电池的混合型工厂架构，所述工厂架构包含：

处理工具，用于沉积有源层，所述处理工具包含：

群集工具，用于沉积有源层；

内嵌工具，用于沉积有源层；和

锂蒸镀工具，所述锂蒸镀工具包含将所述锂蒸镀工具耦接至所述群集工具和所述内嵌工具的一个或多个手套箱。

2.如权利要求1所述的混合型工厂架构，其中所述内嵌工具被配置以用于沉积从包括金属层、半导体层和电解质层的群组中选择的层。

3.如权利要求1所述的混合型工厂架构，其中所述群集工具被配置以用于沉积阴极层，且其中所述内嵌工具被配置以用于沉积电解质层。

4.如权利要求1所述的混合型工厂架构，其中所述群集工具被配置以用于沉积电解质层，且其中所述内嵌工具被配置以用于沉积阴极层。

5.如权利要求1所述的混合型工厂架构，进一步包含：

第二处理工具组，被配置以用于光刻暴露和光刻胶剥离操作；

第三处理工具组，被配置以用于蚀刻操作和清洗操作；以及

第四处理工具，被配置以用于对晶片或基板进行激光划线，其中在所述晶片或基板上制造薄膜电池。

6.一种用于制造锂基薄膜电池的混合型工厂架构，所述工厂架构包含：

第一处理工具，用于沉积金属或半导体层；

第二处理工具，用于沉积有源层，所述第二处理工具包含：

群集工具，用于沉积有源层；

内嵌工具，用于沉积有源层；以及

锂蒸镀工具，所述锂蒸镀工具包含将所述锂蒸镀工具耦接至所述群集工具和所述内嵌工具的一个或多个手套箱；

第三处理工具，用于沉积介电层；

第四处理工具，用于执行反应性离子蚀刻；以及

第五处理工具，用于沉积薄膜电池的特制层。

7.如权利要求6所述的混合型工厂架构，其中所述第二处理工具的所述内嵌工具被配置以用于沉积从包括金属层、半导体层和电解质层的群组中选择的层。

8.如权利要求6所述的混合型工厂架构，其中所述第二处理工具的所述群集工具被配置以用于沉积阴极层，且其中所述第二处理工具的所述内嵌工具被配置以用于沉积电解质层。

9.如权利要求6所述的混合型工厂架构，其中所述第二处理工具的所述群集工具被配置以用于沉积电解质层，且其中所述第二处理工具的所述内嵌工具被配置以用于沉积阴极层。

10.如权利要求6所述的混合型工厂架构，其中所述第五处理工具被配置以用于沉积聚合物层。

11.如权利要求6所述的混合型工厂架构，进一步包含：

第六处理工具组，被配置以用于光刻暴露和光刻胶剥离操作；

第七处理工具组，被配置以用于蚀刻操作和清洗操作；以及

第八处理工具，被配置以用于对晶片或基板进行激光划线，其中在所述晶片或基板上制造薄膜电池。

12.如权利要求6所述的混合型工厂架构，进一步包含：

第六处理工具，用于快速热处理。

13.一种用于制造锂基薄膜电池的混合型工厂架构，所述工厂架构包含：

处理工具，用于沉积有源层，所述处理工具包含：

第一内嵌工具，用于沉积有源层；

第二内嵌工具，用于沉积有源层；以及

锂蒸镀工具，包含将所述锂蒸镀工具耦接至所述第一内嵌工具和第二内嵌工具的一个或多个手套箱。

14.如权利要求13所述的混合型工厂架构，其中所述第一内嵌工具或所述第二内嵌工具被配置以用于沉积从包括金属层、半导体层和电解质层的群组中选择的层。

15.如权利要求13所述的混合型工厂架构，其中所述第一内嵌工具被配置以用于沉积阴极层，且其中所述第二内嵌工具被配置以用于沉积电解质层。