[发明专利]使用CMP形成非平面膜的方法

权利要求书

1.一种成形基板的方法，包括：

提供第一支撑层；

在第一支撑层上提供第一成形图案；

在第一成形图案上提供基板；

在定位于第一成形图案上的基板上实施第一化学机械抛光（CMP）过程；和

将已经被抛光的基板从第一成形图案上移除。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板包括硅基基板。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述成形图案包括至少一个空缺区域。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还包括：

提供第二支撑层；

在第二支撑层上提供第二成形图案；

将已被抛光的基板定位在第二成形图案上；

在定位于第二成形图案上的已被抛光的基板上实施第二CMP过程；和

将已被抛光两次的基板从第二成形图案上移除。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：

所述基板的第一表面在第一CMP过程中被抛光；和

所述基板的第二表面在第二CMP过程中被抛光。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于：

在所述基板上实施第一CMP过程包括将增加量的基板材料从第一基板部分上移除；

将已被抛光的基板定位在第二成形图案上包括

将第一基板部分与第二成形图案的凸出结构特征对齐，和

将第一基板部分定位在所述凸出结构特征上；和

在所述基板上实施第二CMP过程包括将增加量的基板材料从第二基板部分上移除，所述第二基板部分位于所述基板的与第一基板部分正相反的部分上。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一成形图案包括：

至少一个第一凸出结构特征；和

至少一个第一凹入结构特征。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一成形图案包括：

至少一个第二凸出结构特征，所述至少一个第一凸出结构特征的形状与所述至少一个第二凸出结构特征的形状不同。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一成形图案包括：

至少一个第二凸出结构特征，所述至少一个第一凸出结构特征的厚度与所述至少一个第二凸出结构特征的厚度不同。

10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一成形图案包括：

至少一个第二凹入结构特征，所述至少一个第一凹入结构特征的形状与所述至少一个第二凹入结构特征的形状不同。

11.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一成形图案包括：

至少一个第二凹入结构特征，所述至少一个第一凹入结构特征的厚度与所述至少一个第二凹入结构特征的厚度不同。

12.一种成形基板的方法，包括：

在第一支撑层上提供第一成形图案；

将基板定位在第一成形图案上；

在定位于第一成形图案上的基板上实施第一化学机械抛光（CMP）过程；

在基板的上表面上的第一位置处由于第一成形图案产生第一压力；

在基板的上表面上的第二位置处由于第一成形图案产生第二压力，其中，所述第一压力大于所述第二压力；

与第二位置相比，将增加量的材料从第一位置移除；和

将已被抛光的基板从第一成形图案移除。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述基板包括硅基基板。

14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一成形图案包括：

至少一个第一凸出结构特征；和

至少一个第一凹入结构特征。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述第一成形图案包括：

至少一个第二凸出结构特征，所述至少一个第一凸出结构特征的形状与所述至少一个第二凸出结构特征的形状不同。

16.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述第一成形图案包括：

至少一个第二凸出结构特征，所述至少一个第一凸出结构特征的厚度与所述至少一个第二凸出结构特征的厚度不同。