[发明专利]用于直接表面安装的裸露芯片封装无效
申请号: | 201280027904.2 | 申请日: | 2012-04-05 |
公开(公告)号: | CN103703549A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | F·于;L·莱特;C-T·芬;S·霍尔顿 | 申请(专利权)人: | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 直接 表面 安装 裸露 芯片 封装 | ||
1.一种封装的半导体器件,其包括:
半导体芯片,其包括具有包含有源电路的顶部和底部的衬底和在所述衬底的所述底部上的至少一个背部金属层,其中所述背部金属层直接附着到所述半导体芯片的所述底部,并且所述背部金属层的区域与所述半导体芯片的所述底部的区域匹配;
封装,其包括具有芯片焊盘和多条引线的成型材料,所述芯片焊盘和多条引线被封装入所述成型材料内,其中所述多条引线包括含有接合部分的暴露部分;
其中所述半导体芯片的所述顶部连接到所述芯片焊盘,并且其中所述封装包括将所述背部金属层沿着所述封装的底部暴露的间隙;和
接线,其将所述半导体芯片的所述顶部上的焊盘耦合至所述多条引线;
其中,所述接合部分、沿着所述封装的所述底部的所述成型材料和所述背部金属层相对于彼此全部基本位于一个平面。
2.根据权利要求1所述的器件,其中所述暴露部分横向延伸超过所述成型材料并弯曲超过所述成型材料;并且其中所述接合部分包括远端引脚。
3.根据权利要求1所述的器件,其中所述多条引线包括没有延伸到所述成型材料之外的多条外围终端引线;并且其中所述多条外围终端引线提供所述接合部分。
4.根据权利要求1所述的封装的半导体器件,其中所述背部金属层包括铜。
5.根据权利要求1所述的封装的半导体器件,其中所述背部金属层包括在所述半导体芯片的所述底部上的第一金属层和在所述第一金属层上的与所述第一金属层不同的至少一层第二金属层。
6.根据权利要求5所述的封装的半导体器件,其中所述第一金属层包括钛。
7.根据权利要求5所述的封装的半导体器件,其中所述第一金属层或所述第二金属层包括镍。
8.根据权利要求5所述的封装的半导体器件,其中所述第一金属层包括钛,所述第二金属层包括镍,并且还包括在所述第二金属层上的包括金或银的第三金属层。
9.根据权利要求1所述的封装的半导体器件,其中沿所述封装的所述底面的所述成型材料整体是平的。
10.一种电子组件,其包括:
封装的半导体器件,其包括:
半导体芯片,其包括具有包含有源电路的顶部和底部的衬底和在所述衬底的所述底部上的至少一个背部金属层,其中所述背部金属层直接连接到所述半导体芯片的所述底部,并且所述背部金属层的区域与所述半导体芯片的所述底部的区域匹配;
封装,其包括具有芯片焊盘和多条引线的成型材料,所述芯片焊盘和多条引线被封装入所述成型材料内,其中所述多条引线包括含有接合部分的暴露部分;
其中所述半导体芯片的所述顶部连接到所述芯片焊盘,并且其中所述封装包括将所述背部金属层沿着所述封装的底部暴露的间隙;和
接线,其将所述半导体芯片的所述顶部上的焊盘耦合至所述多条引线;
其中,所述接合部分、沿着所述封装的所述底部的所述成型材料和所述背部金属层相对于彼此全部基本位于一个平面;
印制电路板即PCB,其包括多个表面焊盘;和
从所述背部金属层和所述多条引线的所述接合部分到所述PCB上的所述多个表面焊盘的直接焊接连接。
11.根据权利要求10所述的电子组件,其中所述PCB包括多层PCB。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造