[发明专利]苝四甲酰二亚胺衍生物、n-型半导体、n-型半导体的制造方法和电子装置有效

专利信息
申请号: 201280027502.2 申请日: 2012-04-04
公开(公告)号: CN103596964A 公开(公告)日: 2014-02-19
发明(设计)人: 舟桥正浩;竹内望美 申请(专利权)人: 国立大学法人香川大学
主分类号: C07F7/10 分类号: C07F7/10;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/42;H01L51/50;H05B33/14
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 苝四甲酰二 亚胺 衍生物 半导体 制造 方法 电子 装置
【权利要求书】:

1.一种苝四甲酰二亚胺衍生物、其互变异构体或立体异构体、或者它们的盐,其特征在于,所述苝四甲酰二亚胺衍生物用下述化学式(I)表示,

所述化学式(I)中,

R1~R6分别为氢原子、衍生自有机低聚硅氧烷的一价取代基、或任意取代基,可以相同也可以不同,R1~R6中的至少一个为衍生自有机低聚硅氧烷的一价取代基,所述有机低聚硅氧烷还可以具有或不具有取代基,

R7~R10分别为低级烷基、低级烷氧基或卤素,可以相同也可以不同,

L1和L2分别为单键或连接基团,可以相同也可以不同,

o、p、q和r为取代数,分别为0~2的整数,可以相同也可以不同,o为2时两个R7可以相同也可以不同,p为2时两个R8可以相同也可以不同,q为2时两个R9可以相同也可以不同,r为2时两个R10可以相同也可以不同。

2.根据权利要求1所述的苝四甲酰二亚胺衍生物、其互变异构体或立体异构体、或者它们的盐,其中,所述化学式(I)中,

R1~R6中,所述衍生自有机低聚硅氧烷的一价取代基分别为下述化学式(II)或(II-2)所示的取代基,

所述化学式(II)和(II-2)中,

R11和R12分别为氢原子、低级烷基或氟原子,R11和R12可以相同也可以不同,各R11可以相同也可以不同,各R12可以相同也可以不同,

m为0或正整数,在所述化学式(I)中存在多个时可以相同也可以不同,

n为0或正整数,在所述化学式(I)中存在多个时可以相同也可以不同,

s为0或1,

t为1或2,

★表示与所述化学式(I)中的碳原子的结合键。

3.根据权利要求2所述的苝四甲酰二亚胺衍生物、其互变异构体或立体异构体、或者它们的盐,其中,所述化学式(II)中,

m为0~20的整数,

n为0~30的整数。

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