[发明专利]太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种具备结晶硅基板的太阳能电池的制造方法，所述结晶硅基板具有形成有纹理结构的主面，所述制造方法的特征在于：

使用蚀刻液对结晶硅基板的主面进行蚀刻，之后，使用蚀刻成分的浓度高于所述蚀刻液的其他蚀刻液，以比使用所述蚀刻液进行的蚀刻低的蚀刻速度，进行所述结晶硅基板的主面的蚀刻，从而在结晶硅基板的主面形成纹理结构。

2.如权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：

通过使用含有降低蚀刻速度的添加剂的蚀刻液作为所述其他蚀刻液，使使用所述其他蚀刻液的蚀刻速度低于使用所述蚀刻液的蚀刻速度。

3.如权利要求2所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：

所述其他蚀刻液，使用含有辛酸、十二烷酸、4－丙基苯甲酸、4－叔丁基苯甲酸、4－正丁基苯甲酸、4－戊基苯甲酸和4－正辛基苯磺酸中的至少一种作为所述添加剂的蚀刻液。

4.如权利要求1～3中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：

利用所述蚀刻液对所述结晶硅基板的主面进行各向同性蚀刻，

利用所述其他蚀刻液对所述结晶硅基板的主面进行各向异性蚀刻。

5.如权利要求1～4中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：

在使用所述蚀刻液进行蚀刻之前，以比使用所述蚀刻液进行的蚀刻高的蚀刻速度，对所述结晶硅基板的主面进行蚀刻。

6.如权利要求1～5中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：

所述蚀刻液和其他蚀刻液，分别使用碱性的蚀刻液。

7.如权利要求6所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：

所述蚀刻液和其他蚀刻液，分别使用含有氢氧化钠和氢氧化钾中的至少一种的水溶液。

8.如权利要求1～7中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：

使用所述其他蚀刻液进行的蚀刻的速度与使用所述蚀刻液进行的蚀刻的速度之比（（使用所述其他蚀刻液进行的蚀刻的速度）／（使用所述蚀刻液进行的蚀刻的速度））在0.10～0.95的范围内。

9.如权利要求1～8中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：

所述其他蚀刻液中的蚀刻成分的浓度与所述蚀刻液中的蚀刻成分的浓度之比（（所述其他蚀刻液中的蚀刻成分的浓度）／（所述蚀刻液中的蚀刻成分的浓度））在1.03～1.70的范围内。

10.如权利要求1～9中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：

所述结晶硅基板，使用单晶硅基板或多晶硅基板。