[发明专利]金属化薄膜电容器有效
申请号: | 201280026860.1 | 申请日: | 2012-05-29 |
公开(公告)号: | CN103597561B | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 竹冈宏树;大地幸和;真岛亮;岛崎幸博;藤井浩;上浦良介;久保田浩;平木康大 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H01G4/015 | 分类号: | H01G4/015;H01G4/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 樊建中 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属化 薄膜 电容器 | ||
1.一种金属化薄膜电容器,具备:
金属化薄膜,其具有由电介质构成的绝缘薄膜、和第一电极,该第一电极是被设置在所述绝缘薄膜的上表面上的金属蒸镀电极;
第二电极,其隔着所述绝缘薄膜而与所述第一电极对置地被设置在所述绝缘薄膜的下表面;
第一电极端子,其与所述第一电极相连接;和
第二电极端子,其与所述第二电极相连接,
所述第一电极的端部与所述绝缘薄膜的端部相一致地延伸并连接到所述第一电极端子,
所述第一电极具有:
中央区域,其远离所述第一电极的所述端部、且隔着所述绝缘薄膜而与所述第二电极对置;和
低电阻部,其由Al-Zn-Mg合金构成,被设置在所述第一电极的所述端部、且比所述中央区域更厚。
2.根据权利要求1所述的金属化薄膜电容器,其中,
在所述低电阻部中所含有的Mg的原子浓度的峰值存在于自所述第一电极的下表面起5nm以内的范围中。
3.根据权利要求1所述的金属化薄膜电容器,其中,
所述第一电极的所述中央区域由Al-Mg合金构成,
所述低电阻部中的Mg的原子浓度低于所述中央区域的Mg的原子浓度。
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