[发明专利]在PDC/TSP切割器上的用于促进浸滤的涂层

权利要求书

1.一种切割元件，包括：

多晶金刚石层，其包括：

切割面；以及

金刚石层侧表面；

基体，其附着至所述多晶金刚石层，该基体包括：

底表面；以及

基体侧表面；以及

接合面，其位于所述金刚石层与所述基体之间；以及

屏蔽罩，其至少覆盖所述切割元件的所述底表面和所述基体侧表面。

2.根据权利要求1所述的切割元件，其中，所述屏蔽罩是可移除的。

3.根据权利要求1所述的切割元件，其中，所述屏蔽罩包括类金刚石碳。

4.根据权利要求1所述的切割元件，其中，所述屏蔽罩包括耐化学空气干燥油墨。

5.根据权利要求1所述的切割元件，其中，所述屏蔽罩包括耐化学紫外线固化油墨。

6.根据权利要求1所述的切割元件，其中，所述屏蔽罩包括聚四氟乙烯。

7.根据权利要求1所述的切割元件，其中，所述屏蔽罩被密封至所述切割元件。

8.根据权利要求1所述的切割元件，其中，所述屏蔽罩包括顶端，所述顶端大体上平行于所述切割面。

9.根据权利要求1所述的切割元件，其中，所述屏蔽罩包括顶端，所述顶端是非平面的。

10.一种用于浸滤切割元件的方法，包括：

提供切割元件，所述切割元件包括基体和附着至所述基体的多晶金刚石层；

使用屏蔽罩至少遮蔽所述切割元件的基体部分，留下所述切割元件的所述金刚石层的未遮蔽部分；

将被遮蔽的切割元件放置在浸滤剂中，其中，至少所述切割元件的未遮蔽部分接触所述浸滤剂；以及

从所述浸滤剂中取出所述被遮蔽的切割元件。

11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括移除所述屏蔽罩。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述将被遮蔽的切割元件放置在浸滤剂的步骤进一步包括将所述被遮蔽的切割元件保持在适当位置。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述被遮蔽的切割元件由磁性捕获装置保持在适当位置。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，所述屏蔽罩包括类金刚石碳。

15.根据权利要求10所述的方法，其中，所述屏蔽罩包括选自以下的材料：耐化学空气干燥油墨和耐化学紫外线固化油墨。

16.根据权利要求10所述的方法，其中，所述屏蔽罩包括设定屏蔽罩。

17.根据权利要求10所述的方法，其中，遮蔽步骤包括通过注塑成型用屏蔽罩材料包围所述切割元件。

18.一种浸滤切割元件的方法，包括：

提供切割元件，其包括基体和附着至所述基体的多晶金刚石层；

至少将所述切割元件的基体部分安装在预形成的屏蔽罩中，留下所述切割元件的所述金刚石层的未遮蔽部分；

将切割元件放置在浸滤剂中，其中，至少所述切割元件的未遮蔽部分接触所述浸滤剂；以及

从所述浸滤剂中取出所述切割元件。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述安装步骤进一步包括：

将所述预形成的屏蔽罩和所述切割元件放置在真空中且加热所述预形成的屏蔽罩，以紧固围绕所述切割元件的所述预形成的屏蔽罩。

20.根据权利要求18所述的方法，进一步包括密封所述预形成的屏蔽罩至所述切割元件。

21.根据权利要求18所述的方法，进一步包括移除所述预形成的屏蔽罩。

22.根据权利要求18所述的方法，所述预形成的屏蔽罩包括聚氯乙烯。

23.根据权利要求18所述的方法，其中，所述将切割元件放置在浸滤剂中的步骤进一步包括将所述切割元件保持在适当位置。

24.根据权利要求23所述的方法，其中，被遮蔽的切割元件由磁性捕获装置保持在适当位置。