[发明专利]非抛光玻璃晶片、使用非抛光玻璃晶片减薄半导体晶片的减薄系统和方法

权利要求书

1.一种非抛光玻璃晶片，包括：

主体，包括基本上彼此平行的非抛光第一表面和非抛光第二表面；

所述主体具有小于约6.0的晶片质量指标，其中晶片质量指标等于以微米为单位的总厚度变化加上以微米为单位的弯曲的十分之一，其中总厚度变化是所述非抛光第一表面和所述非抛光第二表面之间的所述主体上的最高厚度升高和最低厚度升高之间的差，且所述弯曲是最高点与施加到所述主体的形状的最小二乘焦面之间的最大距离和最低点与施加到所述主体的形状的所述最小二乘焦面之间最大距离的绝对值之和，其中最高点和最低点均相对于所述主体的同一非抛光表面。

2.如权利要求1所述的非抛光玻璃晶片，其特征在于，所述主体具有小于约4.5的晶片质量指标。

3.如权利要求1所述的非抛光玻璃晶片，其特征在于，所述主体具有小于约3.0的晶片质量指标。

4.如权利要求1所述的非抛光玻璃晶片，其特征在于，所述主体具有约0.7mm的厚度，且总厚度变化小于2.0μm，弯曲小于约30μm。

5.如权利要求1所述的非抛光玻璃晶片，其特征在于，所述主体具有约3.0ppm/℃至约3.5ppm/℃范围内的热膨胀系数。

6.如权利要求1所述的非抛光玻璃晶片，其特征在于，所述主体具有约3.0ppm/℃至约12.0ppm/℃范围内的热膨胀系数。

7.如权利要求1所述的非抛光玻璃晶片，其特征在于，所述主体具有小于约2.0μm的总厚度变化。

8.如权利要求1所述的非抛光玻璃晶片，其特征在于，所述主体具有含有小于约0.05%重量百分比的Na₂O和K₂O的成分。

9.如权利要求1所述的非抛光玻璃晶片，其特征在于，所述主体具有小于约60μm的弯曲。

10.如权利要求1所述的非抛光玻璃晶片，其特征在于，所述主体具有约150mm至约450mm范围的外直径。

11.如权利要求1所述的非抛光玻璃晶片，其特征在于，所述主体具有约0.4mm至约1.1mm范围的厚度。

12.如权利要求1所述的非抛光玻璃晶片，其特征在于，所述非抛光第一表面具有小于约RMS的表面粗糙度。

13.一种用于在硅晶片临时接合到非抛光玻璃晶片时，将硅晶片减薄的减薄系统，所述减薄系统包括：

外壳；

支承，位于外壳内，在支承上放置通过临时接合剂彼此接合的非抛光玻璃晶片和硅晶片；

其中所述硅晶片具有其中形成电路管芯的第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面基本上彼此平行；

其中所述非抛光玻璃晶片具有主体，所述主体包括基本上彼此平行的非抛光第一表面和非抛光第二表面，其中所述主体具有小于约6.0的晶片质量指标，其中晶片质量指标等于以微米为单位的总厚度变化加上以微米为单位的弯曲的十分之一，其中总厚度变化是所述非抛光第一表面和所述非抛光第二表面之间的所述主体上的最高厚度升高和最低厚度升高之间的差，且所述弯曲是最高点与施加到所述主体的形状的最小二乘焦面之间的最大距离和最低点与施加到所述主体的形状的所述最小二乘焦面之间最大距离的绝对值之和，其中最高点和最低点均相对于所述主体的同一表面；以及

减薄机制，位于所述外壳内，适用于在所述硅晶片临时接合到所述非抛光玻璃晶片时减薄所述硅晶片的第二表面。

14.如权利要求13所述的减薄系统，其特征在于，所述减薄机制包括机械研磨装置、化学机械抛光装置、蚀刻装置或其任意组合。

15.如权利要求13所述的减薄系统，其特征在于，所述非抛光玻璃晶片具有以下附加属性中的至少一个：

约3.0ppm/℃–12.0ppm/℃范围的热膨胀系数；

小于约2.0μm的总厚度变化；

小于约60μm的弯曲；

约150mm-450mm范围的外直径；

约0.4mm至1.1mm范围内的标称厚度；或

所述非抛光第一表面具有小于约RMS的表面粗糙度。