[发明专利]高频开关有效

专利信息
申请号: 201280025584.7 申请日: 2012-05-23
公开(公告)号: CN103563165A 公开(公告)日: 2014-02-05
发明(设计)人: 鲛岛文典;小浜正彦;森本卓男 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01P1/15 分类号: H01P1/15;H03K17/74;H04B1/44
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 闫小龙;王忠忠
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 高频 开关
【说明书】:

技术领域

本发明涉及在发送接收模块等高频电路中使用的切换高频信号的路径的高频开关。

背景技术

因为发送接收模块用共同的天线对发送信号进行发送并且对接收信号进行接收,所以,在与天线连接的高频开关中以如下方式进行切换:在发送时将发送部与天线连接,在接收时将接收部与天线连接。

例如,在专利文献1中记载了与开关电路内的传送线路以并联方式连接电容器的高频开关电路。根据专利文献1的高频开关电路,说明了即使在发送频带与接收频带的一部分重叠的频带中也能确保35dB以上的隔离度。

在专利文献2中记载了使用SPST(Single Pole、Single Throw:单刀单掷)开关的高频开关。专利文献2的高频开关以如下方式构成:将SPST开关和能设定0°或±90°的相位差的可变移相器级联连接于90°混合耦合器(hybrid coupler),在可变移相器的输出端连接90°混合耦合器。而且,通过将SPST开关的接通(ON)关断(OFF)状态与可变移相器中的移相量联动地进行控制,从而将从输入端子1输入的高频信号输出到输出端子2以及输出端子3的任意一方。

作为一般的电路,已知将反平行二极管(antiparellel diode)作为限幅电路来使用(例如,参照专利文献3或4)。此外,在专利文献5中记载了将限幅二极管(limiter diode)作为开关元件来使用。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2008-109535号公报;

专利文献2:日本特开2007-221314号公报;

专利文献3:日本实开昭58-88423号公报;

专利文献4:日本特开2007-150935号公报;

专利文献5:日本实开平2-90554号公报。

发明内容

发明要解决的课题

在专利文献1或专利文献2中记载的高频开关需要来自外部的控制信号,需要用于生成该外部控制信号的控制电路。特别是,在高速地切换高频开关的情况或用高电压进行驱动的情况下,需要复杂的控制电路。因此,在以往的高频开关中,存在作为周边电路的控制电路的电路规模变大这样的课题。

本发明是为了解决上述那样的课题而完成的,其目的在于得到一种不需要来自外部的控制信号的小型的高频开关。

用于解决课题的方案

本发明的高频开关具备一端与第一高频信号输入输出端子连接且另一端与第二高频信号输入输出端子连接、并且在规定的高频功率以上的输入功率成为导通状态的第一反平行二极管。

发明效果

根据本发明,利用所输入的高频功率造成的反平行二极管的导通/截止动作来实施高频开关的切换动作,所以,不需要生成切换信号的控制电路,可得到小型的高频开关。

附图说明

图1是本发明的实施方式1的SPDT方式的高频开关的电路图。

图2A是大信号功率的高频信号通过时的高频开关的等价电路图。

图2B是小信号功率的高频信号通过时的高频开关的等价电路图。

图3是本发明的实施方式2的高频开关的电路图。

图4是本发明的实施方式3的高频开关的电路图。

图5是本发明的实施方式4的SPST方式的高频开关的电路图。

图6是本发明的实施方式5的高频开关的电路图。

图7是在实施方式2中应用了实施方式5的结构的高频开关的电路图。

图8是在实施方式3中应用了实施方式5的结构的高频开关的电路图。

图9是在实施方式4中应用了实施方式5的结构的高频开关的电路图。

图10是本发明的实施方式6的高频开关的电路图。

图11是在实施方式2中应用了实施方式6的结构的高频开关的电路图。

图12是在实施方式3中应用了实施方式6的结构的高频开关的电路图。

图13是在实施方式4中应用了实施方式6的结构的高频开关的电路图。

图14是在实施方式4中应用了实施方式6的结构的其它的高频开关的电路图。

图15是本发明的实施方式7的高频开关的电路图。

图16是在实施方式2中应用了实施方式7的结构的高频开关的电路图。

图17是在实施方式3中应用了实施方式7的结构的高频开关的电路图。

图18是在实施方式4中应用了实施方式7的结构的高频开关的电路图。

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