[发明专利]接合结构体

权利要求书

1.一种接合结构体，所述接合结构体利用以Bi为主要成分的接合材料来将半导体元件与Cu电极相接合，其特征在于，

由所述接合材料和形成于该接合材料表面的中间层构成层叠体，隔着该层叠体将半导体元件表面的Cu与所述Cu电极相接合，

在将所述半导体元件表面的Cu的杨氏模量设为E1、将所述中间层的杨氏模量设为E2、将所述接合材料的杨氏模量设为E3、将所述Cu电极的杨氏模量设为E4的情况下，

以使得各杨氏模量E1～E4同时满足以下条件（p1）、（q1）

E3＜E2＜E1…（p1）

E3＜E2＜E4…（q1）

或其中的一个条件的方式，对所述半导体元件及所述Cu电极构成所述层叠体。

2.如权利要求1所述的接合结构体，其特征在于，

所述层叠体是包括所述接合材料、以及形成于该接合材料的上下两面的两个中间层的三层的层叠体，若将所述半导体元件一侧的第一中间层的杨氏模量设为E21，并将所述Cu电极一侧的第二中间层的杨氏模量设为E24，

则以使得各杨氏模量E1、E21、E24、E3、E4满足以下条件（p2）和（q2）

E3＜E21＜E1…（p2）

E3＜E24＜E4…（q2）

的方式，对所述半导体元件及所述Cu电极构成所述三层的层叠体。

3.如权利要求1所述的接合结构体，其特征在于，

所述层叠体是包括所述接合材料、以及形成于该接合材料的所述半导体元件一侧的中间层的两层的层叠体，在将所述中间层的杨氏模量设为E21的情况下，

以使得各杨氏模量E1、E21、E3满足以下条件（p2）

E3＜E21＜E1…（p2）

的方式，对所述半导体元件及所述Cu电极构成所述两层的层叠体。

4.如权利要求1所述的接合结构体，其特征在于，

所述层叠体是包括所述接合材料、以及形成于该接合材料的所述Cu电极一侧的中间层的两层的层叠体，

在将所述中间层的杨氏模量设为E24的情况下，

以使得各杨氏模量E24、E3、E4满足以下条件（q2）

E3＜E24＜E4…（q2）

的方式，对所述半导体元件及所述Cu电极构成所述两层的层叠体。

5.如权利要求1至4的任一项所述的接合结构体，其特征在于，

所述中间层是从包括AuSn化合物、AgSn化合物、CuSn化合物、Au、Ag的组中选出的至少一种金属。

6.如权利要求1至5的任一项所述的接合结构体，其特征在于，

所述中间层是CuSn化合物。