[发明专利]研磨垫及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件研磨用研磨垫，所述研磨垫具备研磨层，所述研磨层具有包含大致球状气泡的聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体，所述研磨垫的特征在于：

所述聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体在通过利用最小平方法而从自旋-自旋弛豫时间T2长的成分中依次减去以脉冲NMR获得的自由感应衰减信号(FID)，进行波形分离，而从所述自旋-自旋弛豫时间T2长的成分起依次分为L(非晶相)、M(界面相)、S(结晶相)的3成分的情况下，所述M成分的自旋-自旋弛豫时间T2_M为160μs～260μs，

所述聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体在40℃、初始负荷10g、应变范围0.01％～4％、测定频率0.2Hz、拉伸模式下的储藏弹性模数E′为1MPa～30MPa，并且

所述聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体的密度D在0.30g/cm³～0.60g/cm³的范围内。

2.根据权利要求1所述的半导体器件研磨用研磨垫，其中所述树脂发泡体的M成分的成分存在比(C_M)为55质量％～80质量％的范围，且以X＝T2_M/D求出的X值为350～800的范围。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件研磨用研磨垫，其中所述聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体的平均气泡直径为120μm～185μm。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体器件研磨用研磨垫，其中所述聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体的A硬度为20度～55度。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体器件研磨用研磨垫，其中所述聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体的D硬度为5度～35度。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体器件研磨用研磨垫，其中在所述研磨层的与研磨面相反的面侧贴合有较所述研磨层更硬的层。

7.一种研磨垫的制造方法，所述研磨垫为如权利要求1～6中任一项所述的半导体器件研磨用研磨垫，其特征在于包括：

准备步骤，准备含异氰酸酯基的化合物(A)、聚异氰酸酯化合物(B)、聚胺化合物(D)，包含水、稳泡剂及反应催化剂的混合液(E)，以及对各成分为非反应性的气体；

混合步骤，至少将所述含异氰酸酯基的化合物(A)、所述聚异氰酸酯化合物(B)、所述聚胺化合物(D)，所述包含水、稳泡剂及反应催化剂的混合液(E)，以及所述对各成分为非反应性的气体混合而获得发泡体成形用混合液；

发泡体成形步骤，由所述发泡体成形用混合液来成形聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体；以及

研磨层形成步骤，由所述聚氨基甲酸酯聚脲树脂发泡体来形成研磨层，所述研磨层具有用以对被研磨物进行研磨加工的研磨面。

8.根据权利要求7所述的研磨垫的制造方法，其中在所述准备步骤中，进一步准备多元醇化合物(C-2)，在所述混合步骤中进行混合。

9.根据权利要求8所述的研磨垫的制造方法，其中在所述准备步骤中，以相对于所述聚胺化合物(D)的氨基与所述多元醇化合物(C-2)的羟基的当量的和(活性氢基的当量)，所述聚胺化合物(D)的氨基的当量比达到0.70～0.97(氨基/(氨基+羟基))的方式来准备。

10.根据权利要求7～9中任一项所述的研磨垫的制造方法，其中所述聚胺化合物(D)是亚甲基双-邻氯苯胺(MOCA)的单体与多聚物的混合物，且是含有所述多聚物15质量％以上的粗制MOCA。

11.根据权利要求8或9所述的研磨垫的制造方法，其中所述多元醇化合物(C-2)是数量平均分子量为500～5000的聚四亚甲基二醇或聚丙二醇或者它们的混合物。