[发明专利]包含用于自下向上填充硅穿孔和互联件特征的添加剂的金属电镀用组合物

权利要求书

1.一种组合物，包含金属离子源和至少一种聚氨基酰胺，所述聚氨基酰胺包含在聚合物骨架中的酰胺和胺官能团和至少一个连接至所述聚合物骨架或位于所述聚合物骨架内的芳族结构部分。

2.根据权利要求1的组合物，其中所述至少一个芳族结构部分位于所述聚合物骨架内的两个氮原子之间。

3.根据权利要求1或2的组合物，其中所述聚氨基酰胺包含由式I表示的结构单元或其可通过完全或部分质子化、N-官能化或N-季铵化获得的衍生物：

[A]_p[B]_q[D]_r       (I)

其中

A为选自以下的双基：

B为选自化学键或以下的双基：

D为化学键或选自以下的二价基团：

D¹对于各重复单元1至p独立地选自化学键或者选自饱和或不饱和C₁-C₂₀有机基团的二价基团，

D²、D³独立地选自直链或支化C₁-C₁₀亚烷基，其可任选地经选自N和O的杂原子取代，

D⁴选自直链或支化C₂-C₆亚烷基、C₆-C₁₀芳基或杂芳基双基、C₈-C₂₀芳基亚烷基、C₈-C₂₀杂芳基亚烷基，

D⁵选自直链或支化C₁至C₇亚烷基，其可任选地经杂原子取代，

R¹对于各重复单元1至n独立地选自H、C₁-C₂₀烷基和C₅-C₂₀芳基或C₅-C₂₀杂芳基，其可任选地经羟基、烷氧基或烷氧羰基取代，

n为2至250的整数，

p为2至150的整数，

q为0至150的整数，

r为0至150的整数，

且其中D⁴或R¹中的至少一个包含C₅-C₂₀芳族结构部分或所述聚氨基酰胺经C₅-C₂₀芳族结构部分官能化和/或季铵化。

4.根据权利要求3的组合物，其中所述聚氨基酰胺由式II表示

其中D¹、D²、D³、R¹、n和p具有指定含义，且

E¹、E²独立地选自

(a)可亲核置换的离去基团，

(b)NH-(C₁-C₂₀烷基)或NH-(C₁-C₂₀链烯基)或NH-芳基，

(c)H-{NH-[D²-NR¹]_n-D³-NH}，

(d)(C₁-C₂₀烷基)-CO-{NH-[D²-NR²]_n-D³-NH}，和

(e)(C₁-C₂₀链烯基)-CO-{NH-[D²-NR²]_n-D³-NH}，

(f)(C₁-C₂₀芳基)-CO-{NH-[D²-NR²]_n-D³-NH}，

且其中D¹或R¹中的至少一个包含C₅-C₂₀芳族结构部分。