[发明专利]制造包括多重序列发光体层的发光器件的方法以及如此制造的器件无效
申请号: | 201280024414.7 | 申请日: | 2012-03-28 |
公开(公告)号: | CN103548155A | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | J·卡巴路;A·W·迪隆恩 | 申请(专利权)人: | 克里公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 金晓 |
地址: | 美国北*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 包括 多重 序列 发光体 发光 器件 方法 以及 如此 | ||
1.一种制造发光器件的方法,包括:
提供发光二极管LED,所述发光二极管包括从其表面突出的第一导电基座;
在所述表面上包括在所述第一导电基座上涂覆第一发光体层;
减薄所述第一发光体层以暴露所述第一导电基座;
在所暴露的第一导电基座上形成第二导电基座;
在所述第一发光体层和所述第二导电基座上涂覆第二发光体层;以及
减薄所述第二发光体层以暴露所述第二导电基座。
2.根据权利要求1所述的方法,其中使用不同发光体层涂覆方法执行涂覆所述第一发光体层和涂覆所述第二发光体层。
3.根据权利要求1所述的方法,其中涂覆所述第一发光体层和涂覆所述第二发光体层两者包括注射器或者喷嘴分布。
4.根据权利要求1所述的方法:
其中所述第一发光体层具有第一吸收和发射光谱以及所述第二发光体层具有第二吸收和发射光谱,以及
其中所述第二发光体层的所述发射光谱的较短波长端与所述第一发光体层的所述吸收光谱的较长波长端重叠。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述LED在蓝色区域中具有峰值发射波长,所述第一发光体层在红色区域中具有峰值发射波长以及所述第二发光体层在黄色区域中具有峰值发射波长。
6.根据权利要求1所述的方法,其中提供LED包括提供包括所述LED的晶片。
7.根据权利要求1所述的方法,其中提供LED包括提供LED芯片。
8.一种制造发光器件的方法,包括:
提供发光二极管LED,所述发光二极管包括从其表面突出的导电基座;
在所述表面上包括在所述导电基座上涂覆第一发光体层以提供非平面第一发光体层;
在所述非平面第一发光体层和所述导电基座上涂覆第二发光体层;以及接着
平坦化所述LED以暴露所述导电基座。
9.根据权利要求8所述的方法,其中使用不同发光体层涂覆方法执行涂覆所述第一发光体层和涂覆所述第二发光体层。
10.根据权利要求8所述的方法,其中涂覆所述第一发光体层包括喷涂所述第一发光体层,以及其中涂覆所述第二发光体层包括注射器或者喷嘴分布所述第二发光体层。
11.根据权利要求8所述的方法:
其中所述第一发光体层具有第一吸收和发射光谱以及所述第二发光体层具有第二吸收和发射光谱,以及
其中所述第二发光体层的所述发射光谱的较短波长端与所述第一发光体层的所述吸收光谱的较长波长端重叠。
12.根据权利要求11所述的方法,其中所述LED在蓝色区域中具有峰值发射波长,所述第一发光体层在红色区域中具有峰值发射波长以及所述第二发光体层在黄色区域中具有峰值发射波长。
13.根据权利要求8所述的方法,其中提供LED包括提供包括所述LED的晶片。
14.根据权利要求8所述的方法,其中提供LED包括提供LED芯片。
15.一种发光器件包括:
发光二极管LED,所述发光二极管包括从其表面延伸出的导电基座,所述导电基座包括邻近所述表面的第一部分、远离所述表面、限定外部表面的第二部分和所述第一与第二部分之间的分界面;
所述表面上的第一发光体层,邻近所述第一部分地从所述表面延伸至所述分界面;以及
所述第一发光体层上的第二发光体层,邻近所述第二部分地从所述分界面延伸至所述外部表面。
16.根据权利要求15所述的发光器件,其中所述导电基座还包括具有限定所述分界面的特征的非平面侧壁。
17.根据权利要求15所述的发光器件,其中所述分界面是所述第一与第二部分之间的导电过渡区域。
18.根据权利要求15所述的发光器件:
其中所述第一发光体层具有第一吸收和发射光谱以及所述第二发光体层具有第二吸收和发射光谱,以及
其中所述第二发光体层的所述发射光谱的较短波长端与所述第一发光体层的所述吸收光谱的较长波长端重叠。
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