[发明专利]白光发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

a）光源，发射第一光，所述第一光在从300nm至500nm的第一波长范围内具有发射最大值；

b）第一发光材料，包括低再吸收的半导体纳米晶体，并与所述光源间隔开并且光学地耦合以从所述光源接收所述第一光的至少一部分，并且其中，所述第一发光材料吸收所述第一光的第一部分并且发射第二光，所述第二光比所述第一光具有更低的能量并且在第二波长范围内具有发射最大值；

c）至少第二发光材料，用于光学地耦合以从所述光源接收所述第一光的至少一部分，并且其中，所述第二发光材料吸收所述第一光的第二部分并且发射第三光，所述第三光比所述第一光具有更低的能量并且在第三波长范围内具有发射最大值。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述光源包括至少一个发光二极管。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二波长范围为从600nm至700nm，并且所述第三波长范围为从500nm至600nm。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一波长范围为从440nm至490nm，所述第二波长范围为从600nm至640nm，并且所述第三波长范围为从530nm至580nm。

5.根据权利要求1所述的发光器件，包括光学部件，所述光学部件与所述光源间隔开并且被光学地耦合用于接收来自所述光源的光的至少一部分，并且其中，所述光学部件包括所述第一发光材料。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一发光材料和所述第二发光材料混合在一起并且包含在层内。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一发光材料和所述第二发光材料包含在层内，并且所述层彼此分离。

8.根据权利要求7所述的发光器件，其中，包含所述第二发光材料的层位于包含所述第一发光材料的层和所述光源之间。

9.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述第二发光材料包含在与所述光源相邻的层内。

10.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一发光材料与所述光源相隔距离（d），并且其中，将d的值选择为使得在所述器件的操作期间，所述低再吸收的半导体纳米晶体的温度不超过85℃。

11.根据权利要求10所述的发光器件，其中，将所述d的值选择为使得在所述器件的操作期间，所述低再吸收的半导体纳米晶体的温度不超过70℃。

12.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一发光材料包括低再吸收的半导体纳米晶体，所述低再吸收的半导体纳米晶体包括发射中心核、外部保护壳以及位于所述发射中心核和所述外部保护壳之间的至少一个内部吸光壳，并且其中，所述内部吸光壳能够吸收所述第一波长范围内的光，所述发射中心核能够发射所述第二波长范围内的光。

13.根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述低再吸收的半导体纳米晶体的平均吸收度比值为8以上，并且同时所述发射量子产率大于或等于50%。

14.根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述发射中心核包括选自由ZnSe、CdSe、InP、CdSe_xS_(1-X)、Cd_xZn_(1-X)Se、(InP)_xZnSe_(1-X)及其组合构成的组中的至少一个成员，其中，x具有从0到1的值。

15.根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述发射中心核包括CdSe_xS_1-X，其中，x具有从0到1的值。

16.根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述至少一个内部吸光壳选自由ZnSe、CdS、Cd_xZn_(1-X)S、ZnSe_xS_(1-X)及其组合构成的组，其中，x具有从0到1的值。

17.根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述至少一个内部吸光壳包括Cd_xZn_(1-X)S，其中，x具有从0到1的值。