[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件包括主半导体器件部、器件分离部、及控制半导体器件部，

所述主半导体器件部具有第一导电型的第1半导体区域、第二导电型半导体区域、第一导电型的第2半导体区域、沟槽、第一栅极氧化膜、及栅极电极，所述第一导电型的第1半导体区域形成在第一导电型半导体衬底的第一主面侧，所述第二导电型半导体区域选择性地形成在所述第一导电型半导体衬底的第二主面侧的表面层上，所述第一导电型的第2半导体区域选择性地形成在所述第二导电型半导体区域的表面层上，所述沟槽从所述第二导电型半导体区域的表面起贯通所述第二导电型半导体区域和所述第一导电型的第2半导体区域并到达所述第一导电型半导体衬底，所述第一栅极氧化膜沿着所述沟槽的内壁而形成，所述栅极电极形成在所述沟槽内部的所述第一栅极氧化膜上，

所述器件分离部选择性地形成在所述第一导电型半导体衬底的第二主面侧的表面上，具有比所述第一栅极氧化膜的厚度要厚的选择氧化膜，

所述控制半导体器件部控制所述主半导体器件部，具有第二导电型阱扩散区域、控制栅极电极、第一导电型控制源区、及第一导电型控制漏区，所述第二导电型阱扩散区域形成在所述第一导电型半导体衬底的第二主面侧的、利用所述器件分离部而与所述主半导体器件部分开的部分的表面层，所述控制栅极电极形成在所述第二导电型阱扩散区域的表面的第二栅极氧化膜上，所述第一导电型控制源区选择性地形成在所述第二导电型阱扩散区域的表面层上，所述第一导电型控制漏区隔着所述第二导电型阱扩散区域的、与所述控制栅极电极相对的部分，形成在所述第二导电型阱扩散区域的表面层上的、远离所述第一导电型控制源区的位置，

所述半导体器件的制造方法的特征在于，包括：

沟槽形成步骤，该沟槽形成步骤将所述沟槽形成在所述第一导电型半导体衬底的第二主面上；

第一栅极氧化膜形成步骤，该第一栅极氧化膜形成步骤沿着所述沟槽的内壁来形成所述第一栅极氧化膜；

栅极电极形成步骤，该栅极电极形成步骤将所述栅极电极形成在所述沟槽内部的所述第一栅极氧化膜上；

选择氧化膜形成步骤，该选择氧化膜形成步骤选择性地将所述选择氧化膜形成在所述第一导电型半导体衬底的第二主面上；

第二栅极氧化膜形成步骤，该第二栅极氧化膜形成步骤在所述第一导电型半导体衬底的第二主面上形成厚度比所述第一栅极氧化膜要薄的所述第二栅极氧化膜；以及

控制栅极电极形成步骤，该控制栅极电极形成步骤将所述控制栅极电极形成在所述第二栅极氧化膜上，

所述选择氧化膜形成步骤在所述沟槽形成步骤之后执行。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述选择氧化膜形成步骤在所述栅极电极形成步骤之后执行。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

按照所述沟槽形成步骤、所述第一栅极氧化膜形成步骤、所述栅极电极形成步骤、所述选择氧化膜形成步骤、所述第二栅极氧化膜形成步骤、及所述控制栅极电极形成步骤的顺序来执行各步骤。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述选择氧化膜是ＬＯＣＯＳ氧化膜。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在所述栅极电极形成步骤中，通过将多晶硅填充到所述沟槽中来形成所述栅极电极，

在所述控制栅极电极形成步骤中，通过在所述第二栅极氧化膜上沉积多晶硅来形成所述控制栅极电极，

所述栅极电极形成步骤与所述控制栅极电极形成步骤是同一步骤。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述主半导体器件部中具有纵向或横向沟槽栅型的绝缘栅极场效应晶体管。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述主半导体器件部中具有纵向或横向沟槽栅型的绝缘栅双极晶体管。

8.如权利要求1至7中的任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述控制半导体器件部中具有横向平面栅型的绝缘栅场效应晶体管或横向沟槽栅型的绝缘栅场效应晶体管。