[发明专利]图案构造体的制造方法无效
| 申请号: | 201280023990.X | 申请日: | 2012-05-16 |
| 公开(公告)号: | CN103548115A | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
| 发明(设计)人: | 宫川隆;村上哲也;冈本公康 | 申请(专利权)人: | 住友商事株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/205;H01L21/3205;H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 图案 构造 制造 方法 | ||
1.一种图案构造体的制造方法,包含:
在基材上利用喷墨法形成剥离材料的工序;
在所述基材及所述剥离材料上利用原子层沉积法形成功能膜的工序;以及
通过利用剥离法除去所述剥离材料,在所述基材上由所述功能膜形成图案的工序。
2.根据权利要求1所述的图案构造体的制造方法,其中,
所述剥离材料通过将含有树脂及溶剂的油墨涂布在所述基材上之后,将所述溶剂除去而形成。
3.根据权利要求2所述的图案构造体的制造方法,其中,
所述溶剂含有具有针对所述树脂的第一溶解性的第一溶剂、以及具有比所述第一溶解性低的第二溶解性的第二溶剂。
4.根据权利要求3所述的图案构造体的制造方法,其中,
所述第一溶剂与所述第二溶剂相溶。
5.根据权利要求3所述的图案构造体的制造方法,其中,
所述溶剂进一步含有与所述第一溶剂及所述第二溶剂两者相溶的第三溶剂。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的图案构造体的制造方法,其中,
所述基材具有凸部,
所述剥离材料在所述凸部上形成。
7.根据权利要求6所述的图案构造体的制造方法,其中,
所述凸部沿着所述基材的表面在第一方向上延伸,
所述剥离材料以沿着所述基材的所述表面在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的方式形成。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的图案构造体的制造方法,其中,
所述基材是聚合物膜。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的图案构造体的制造方法,其中,
所述剥离材料能够溶解于溶剂。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的图案构造体的制造方法,其中,
所述剥离材料使用溶剂、超声波、水射流、干冰喷射、以及所述剥离材料与所述基材的热膨胀系数的差中的至少一种而除去。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的图案构造体的制造方法,其中,
在形成所述图案之后,返回形成所述剥离材料的工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





