[发明专利]转换件与具有这种转换件的发光二极管装置

权利要求书

1.一种用于将第一波长范围（10）的电磁射束波长转换至第二波长范围（10a，10b，10c）的电磁射束的转换件（1），所述第二波长范围包括比所述第一波长范围更大的波长，所述转换件具有：

-基体材料（3），所述基体材料的光学折射率是取决于温度的；和

-至少两种不同类型的发光材料颗粒（2a，2b，2c）；

-其中，每一所述类型的所述发光材料颗粒（2a，2b，2c）都大量分布在所述基体材料（3）中，

-所述不同类型的所述发光材料颗粒（2a，2b，2c）通过平均颗粒尺寸和/或材料而彼此区分开，

-所述转换件（1）在受到所述第一波长范围（10）的电磁射束激励时发出具有由所述第一波长范围（10）和所述第二波长范围（10a，10b，10c）组成的电磁射束的混合射束（11），并且

-当所述基体材料（3）的温度在最低25℃和最高150℃之间时，所述混合射束（11）的相关色温和/或色度坐标基本上保持恒定。

2.根据前述权利要求所述的转换件（1），其中，当所述基体材料（3）的温度在最低25℃与最高150℃之间时，所述混合射束的所述相关色温最大变化为60K。

3.根据前述权利要求中任一项所述的转换件（1），其中，当所述基体材料（3）的温度在最低25℃与最高150℃之间时，所述混合射束（11）的所述色度坐标处于三步McAdam椭圆之内。

4.根据前述权利要求中任一项所述的转换件（1），其中，在最低25℃和最高150℃的温度范围中，随着温度的上升所述基体材料（3）的所述折射率下降。

5.根据前述权利要求中任一项所述的转换件（1），其中，所述基体材料（3）基本上没有散射材料的颗粒。

6.根据前述权利要求中任一项所述的转换件（1），具有三种类型的所述发光材料颗粒（2a，2b，2c），其中，两种类型的所述发光材料颗粒具有相同的或近似的第一发射波长范围，以及第三类型的所述发光材料颗粒具有其它的发射波长范围，所述其它的发射波长范围的最大值与所述第一发射波长范围的最大值偏差至少100nm。

7.根据前述权利要求中任一项所述的转换件（1），其中，所述不同类型中的至少两个类型的所述发光材料颗粒（2a，2b，2c）由不同的材料组成并且具有近似的发射波长范围。

8.根据权利要求6或者7中所述的转换件（1），具有由LuAGAG：Ce构成的所述发光材料颗粒（2a，2b，2c），由（Sr，Ca，Ba）₂Si₅N₈构成的发光材料颗粒以及由CaAlSiN构成的发光材料颗粒。

9.根据权利要求1到6中任一项中所述的转换件（1），其中，所述不同类型中的至少两个类型的所述发光材料颗粒（2a，2b，2c）由相同的材料构成并且具有不同的平均颗粒尺寸。

10.一种发光二极管装置，具有：

-发光二极管芯片（5），所述发光二极管芯片在运行时发射所述第一波长范围（10）的电磁射束；以及

-根据前述权利要求中任一项所述的转换件（1）；其中

-所述转换件（1）布置在所述发光二极管芯片（4）的下游，以使得至少一部分所述第一波长范围的所述电磁射束进入所述转换件（1）并且被转换成所述第二波长范围（10a，10b，10c）的电磁射束。

11.根据前述权利要求中所述的发光二极管装置，其中，所述转换件（1）将所述发光二极管芯片（4）形状配合地包封。