[发明专利]形成具有改变的应力特性的膜的方法

权利要求书

1.一种改变膜的应力特性的方法，包括：

提供膜层；

确定期望应力改变；和

基于所确定的期望应力改变在膜层中形成至少一个槽。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

将膜层从下方的操作层释放。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成至少一个槽包括：

基于所确定的期望应力改变来为所述至少一个槽确定槽几何特征。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，确定槽几何形状包括：

基于所确定的期望应力改变来确定所述至少一个槽的宽度、深度和形状。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

确定期望应力改变包括确定所述膜的应力集中区域；和

形成至少一个槽包括

基于所确定的应力集中区域来确定槽型式，和

基于所确定的槽型式来形成至少一个槽。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

确定期望应力改变包括确定所述膜的应力隔离区域；和

形成至少一个槽包括

基于所确定的应力隔离区域来确定槽型式，和

基于所确定的槽型式来形成至少一个槽。

7.如权利要求3所述的方法，其特征在于：

形成至少一个槽包括基于所确定的期望应力改变来确定槽型式；和

基于所确定的槽型式来形成至少一个槽。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，形成至少一个槽包括：在与所述膜层的膜部分邻近的位置处形成至少一个槽。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，形成至少一个槽包括：在所述膜层的膜部分内的位置处形成至少一个槽。

10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，形成至少一个槽包括：平行于所述膜层的膜部分的边缘地形成至少一个槽。

11.如权利要求7所述的方法，其特征在于，形成至少一个槽包括：

形成具有第一槽深度的第一槽；和

形成具有第二槽深度的第二槽，其中，所述第一槽深度深于所述第二槽深度。

12.如权利要求7所述的方法，其特征在于，形成至少一个槽包括：

平行于所述膜层的膜部分的边缘地形成第一槽的至少一部分；和

平行于所述膜层的膜部分的所述边缘地形成第二槽的至少一部分。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一槽的所述至少一部分平行于所述第二槽的所述至少一部分。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述第一槽与所述第二槽仅部分地重叠。

15.如权利要求7所述的方法，其特征在于，形成至少一个槽包括：形成至少一个弯曲的槽。

16.如权利要求7所述的方法，其特征在于，形成至少一个槽包括：

穿过所述膜层的上部表面形成第一槽；和

穿过所述膜层的下部表面形成第二槽。